[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别是涉及一种能提高取光效率的发光二极管封装结构。

背景技术

近年来，发光二极管制造技术的快速进步，使得发光二极管芯片的发光效率增加。但是，发光二极管整体发光效率的提升，除了发光二极管芯片的部分外，封装结构的取光效率也是另一个重点。因此，如何改进封装结构以提高取光效率，是所有厂商正积极投入研发的的领域。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管封装结构，以提高取光效率。

为了实现上述目的，本发明提供了一种发光二极管封装结构，包含下述组件，一发光二极管芯片位于散热块上。一钻石粉末层包覆于发光二极管芯片上，且共形于发光二极管芯片的表面。一荧光粉层，包覆于钻石粉末层上，且共形于钻石粉末层的表面。一透镜层包覆于荧光粉层外。发光二极管芯片、钻石粉末层、荧光粉层以及透镜层的折射率依序递减。

借助上述本发明发光二极管封装结构的实施，能有效提高取光效率。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图；以及

图2为本发明另一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。

其中，附图标记：

100：发光二极管封装结构         200：发光二极管封装结构

102：散热块          202：散热块

104：发光二极管芯片  204：发光二极管芯片

106：钻石粉末层      206：钻石粉末层

108：荧光粉硅胶层    208：荧光粉高分子材料层

110：透镜层          210：透镜层

具体实施方式

本发明提出一种发光二极管封装结构，利用从封装结构内部至外部渐进地减少封装材料的折射系数，使封装结构的取光效率能够提高。

请参考图1，为本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。本发光二极管封装结构100利用一散热块102作为一基底。一发光二极管芯片104固定于散热块102上，因而发光二极管芯片104(例如一蓝光芯片)所产生的热就由散热块102传导出去。一钻石粉末层106接着涂布于发光二极管芯片104表面。钻石粉末层106不仅要包覆于发光二极管芯片104外，还要共形于发光二极管芯片104的表面(钻石粉末层106的表面平行于发光二极管芯片104的表面)。钻石粉末层106的折射率需控制在约1.7，其厚度介于0.1微米至约0.5微米的范围。接着，一荧光粉硅胶层108(例如一黄色荧光粉硅胶层)涂布于发光二极管芯片104表面。荧光粉硅胶层108不仅要包覆于钻石粉末层106外，还要共形于钻石粉末层106的表面(荧光粉硅胶层108的表面平行于钻石粉末层106的表面)。钻石粉末层106与荧光粉硅胶层108共形于发光二极管芯片104表面，使得封装结构的出光能更均匀。在本实施例中，发光二极管芯片104发出蓝光以激发黄色荧光粉(包含于荧光粉硅胶层108内)，而产生白光。当钻石粉末层106与荧光粉硅胶层108共形于发光二极管芯片104表面时，封装结构就能发出均匀的白光，而减少周围发光不均匀(例如有其它颜色的光)的情况。荧光粉硅胶层108的折射率需控制在约1.54，而其厚度介于约20微米至约50微米的范围。最后在加上一透镜层110将荧光粉硅胶层108包覆。透镜层110的折射率需控制在约1.4。透镜层110可依不同的需求形成不同形状而满足不同的光学需求。本实施例的圆弧形的透镜层110具有聚光的作用。

一般发光二极管芯片104材料的折射率约2.2至3.6。封装结构由内而外的折射率依序为2.2至3.6(发光二极管芯片104)、1.7(钻石粉末层106)、1.54(荧光粉硅胶层108)以及1.4(透镜层110)。上述渐进式的折射率设计(由内而外的折射率依序递减)有助于取光效率的提高。