[发明专利]射频CMOS集成电感中的接地环结构有效
| 申请号： | 200710094277.5 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442048A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡描 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 cmos 集成 电感 中的 接地 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频CMOS集成电感中的接地环结构，该接地环由有源区和第一层金属组成，其特征在于，所述的有源区和第一层金属是断开的，形成接地环断开口。
2.根据权利要求1所述的射频CMOS集成电感中的接地环结构，其特征在于，所述接地环断开口与电感开口的方向相同或相反。
3.根据权利要求1所述的射频CMOS集成电感中的接地环结构，其特征在于，所述的接地环两边断开，形成两个断开口。
4.根据权利要求3所述的射频CMOS集成电感中的接地环结构，其特征在于，所述接地环的两个断开口与电感开口垂直或者水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
