[发明专利]电介质粒子、电介质陶瓷组合物及其制造方法无效
申请号: | 200710091844.1 | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101274851A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | M·柳田;小岛畅;藤村友义;佐藤阳 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/626;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 粒子 陶瓷 组合 及其 制造 方法 | ||
1. 一种电介质粒子,它是含有含钛酸钡的主成分和R氧化物(其中,R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的至少一种)的电介质粒子,其中,
设前述电介质粒子的粒径为D,
分别将距粒子表面的深度为前述D的0%以上且10%以下的区域作为表面区域;将距粒子表面的深度为前述D的超过10%且低于40%的区域作为中间区域;并将距粒子表面的深度为前述D的40%以上且50%以下的区域作为中心区域时,
在前述表面区域,为由前述电介质粒子表面侧向中心部位呈前述R氧化物含有比率趋减的构成,
与此同时在前述中心区域,为由前述电介质粒子表面侧向中心部位呈前述R氧化物含有比率趋增的构成。
2. 根据权利要求1中所述的电介质粒子,其中,将前述电介质粒子总体中前述R氧化物相对于前述钛酸钡100摩尔按R元素换算的平均摩尔数作为Mave时,前述Mave大于0摩尔,并且在0.5摩尔以下。
3. 根据权利要求1或2中所述的电介质粒子,其中,对于前述表面区域中的前述R氧化物含有比率,
设前述D的0%以及10%各深度的前述R氧化物相对于前述钛酸钡100摩尔按R元素换算的摩尔数分别为M0和M10时,它们的比M0/M10为1~30,其中不包括1。
4. 根据权利要求1或2中所述的电介质粒子,其中,对于前述中心区域中的前述R氧化物含有比率,
设前述D的40%以及50%各深度的前述R氧化物相对于前述钛酸钡100摩尔按R元素换算的摩尔数分别为M40和M50时,它们的比M50/M40为1~100,其中不包括1。
5. 根据权利要求1或2中所述的电介质粒子,其中,在前述中间区域中前述R氧化物相对于前述钛酸钡100摩尔按R元素换算的摩尔数在前述Mave的0.2倍以上且8.0倍以下的范围。
6. 电介质陶瓷组合物的制造方法,它是制造具有含钛酸钡的主成分和含R氧化物(其中,R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的至少一种)的第4副成分的电介质陶瓷组合物的方法,其中,
具有使前述主成分的原料与前述第4副成分的原料的至少一部分预先反应,准备已反应原料的工序,
添加前述已反应原料和前述电介质陶瓷组合物中将包含的剩余的前述第4副成分的原料,得到电介质陶瓷组合物粉末的工序,和
对前述电介质陶瓷组合物粉末进行烧结的工序,
作为前述已反应原料,使用权利要求1或2中所述的电介质粒子。
7. 根据权利要求6中所述的电介质陶瓷组合物的制造方法,其中,最终得到的前述电介质陶瓷组合物中前述第4副成分相对于前述主成分100摩尔的含量按R元素换算为0.1~10摩尔。
8. 根据权利要求6中所述的电介质陶瓷组合物的制造方法,其中,前述已反应原料中所含的前述第4副成分相对于前述电介质陶瓷组合物中最终所含的前述第4副成分总量100摩尔%的比率按R元素换算为大于0摩尔%,并且低于50摩尔%。
9. 根据权利要求6中所述的电介质陶瓷组合物的制造方法,其中,前述电介质陶瓷组合物还含有:
含选自MgO、CaO、BaO以及SrO的至少一种的第1副成分,
含有SiO2作为主成分,并含有选自MO(其中M是选自Mg、Ca、Ba以及Sr的至少一种)、Li2O以及B2O3的至少一种的第2副成分,和
含选自V2O5、MoO3以及WO3的至少一种的第3副成分,
各副成分相对于前述主成分100摩尔的比率为,
第1副成分:0.1~5摩尔;
第2副成分:0.1~12摩尔;
第3副成分:0~0.3摩尔,其中不包括0。
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