[发明专利]相变化存储器及其制造方法

权利要求书

1. 一种相变化存储器，包含：

基底；

第一电极层，形成于该基底之上；

具有环状或条状相变化层，与第一电极电连结；以及

第二电极，形成于该相变化层上，并与该相变化层电连结，其中该第一电极与该第二电极至少一者为相变化材料。

2. 如权利要求1项所述的相变化存储器，其中该相变化材料由硫属化合物所构成。

3. 如权利要求1项所述的相变化存储器，其中该环状或柱状相变化层的剖面宽度小于曝光极限。

4. 如权利要求1项所述的相变化存储器，其中该相变化层顶部至底部口径尺寸大体上维持一致，并与第一电极及第二电极大体垂直。

5. 一种相变化存储器的制造方法，包括：

提供基底；

形成第一电极于该基底之上；

形成第一介电层于该第一电极之上；

图案化该第一介电层以形成介电柱，其中该介电柱俯视图形为多边形或圆形；

顺应性形成相变化材料包覆该介电柱，经回蚀去除该介电柱上表面及该第一电极上表面的相变化材料后，留下一相变化材料间隙壁附着该介电柱的侧壁；

形成第二介电层于该基底之上，并经由回蚀使该相变化材料间隙壁的侧壁为该第二介电层所包覆；以及

形成第二电极于该介电柱及该第二介电层之上，以与该相变化材料间隙壁电连结。

6. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，其中该相变化材料间隙壁的剖面宽度在2nm到120nm之间、高度在1nm到200nm之间。

7. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，其中该第一电极与该第二电极至少一者为相变化材料。

8. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，其中该相变化材料间隙壁的俯视形状为连续封闭图形。

9. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，在形成该相变化材料间隙壁后，还包括图案化工艺定义该相变化材料间隙壁，以形成非连续图形的相变化材料间隙壁。

10. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，在形成该第二电极后，还包含：

利用光刻蚀刻工艺并以基底为蚀刻停止层，同时图案化第一电极及第二电极，并回填第三介电层，使图案化的第一电极及第二电极为该第三介电所包覆。

11. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，其中该第一电极及该第二电极的图案化利用不同的光刻蚀刻步骤所形成。

12. 如权利要求5项所述的相变化存储器的制造方法，其中该介电柱的口径尺寸在20nm到500nm之间。

13. 一种相变化存储器的制造方法，包括：

提供基底；

形成第一电极于该基底之上；

形成第一介电层于该第一电极之上；

图案化第一介电层以形成开口，其中该开口俯视图形为多边形或圆形；

顺应性形成相变化材料于该第一介电层及覆盖该开口，经回蚀去除该开口内第一电极上表面及第一介电层上的相变化材料后，留下相变化材料间隙壁附着该开口的侧壁；

形成第二介电层于该基底，并经由回蚀使该相变化材料间隙壁的侧壁为该第一介电层及该第二介电层所包覆；以及

形成第二电极于该开口及该第二介电层之上，以与该相变化材料间隙壁电连结。

14. 如权利要求13项所述的相变化存储器的制造方法，其中该相变化材料间隙壁的剖面宽度在2nm到120nm之间，而高度在1nm到200nm之间。

15. 如权利要求13项所述的相变化存储器的制造方法，其中该第一电极与该第二电极至少一者为相变化材料。

16. 如权利要求13项所述的相变化存储器的制造方法，其中该相变化材料间隙壁的俯视形状为连续封闭图形。

17. 如权利要求13项所述的相变化存储器的制造方法，在形成该相变化材料间隙壁后，还包括图案化工艺定义该相变化材料间隙壁，以形成非连续图形的相变化材料间隙壁。