[发明专利]有机发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710074428.0 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101304075A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王世昌;黄荣龙 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管，其包括一绝缘基板、依序设置在该绝缘基板上的一阳极、一电洞注入层、一电洞传输层及一有机发光层，其特征在于：该阳极为单层结构且植入有氟离子。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：该阳极的材质为氧化铟锡或氧化铟锌。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：该电洞注入层的材质为铜酞菁或聚乙烯二氧塞吩或聚苯乙烯磺酸纳。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：其进一步包括依次形成在该有机发光层上的一电子传输层、一电子注入层及一阴极。
5.一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板；沉积一金属层在该绝缘基板上；在该金属层植入氟离子，形成单层结构的阳极；在该阳极上依序形成一电洞注入层、一电洞传输层及一有机发光层。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该离子元素植入所采用的方法为离子布植方法。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该阳极的材质为氧化铟锡或氧化铟锌。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该电洞注入层的材质为铜酞菁或聚乙烯二氧塞吩或聚苯乙烯磺酸纳。
9.如权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该有机发光层采用旋涂法或喷墨打印法形成。
10.如权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：其进一步包括在该有机发光层上依次形成一电子传输层、一电子注入层及阴极的步骤。
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