[发明专利]制备非晶氢硅薄膜的方法及装置无效
| 申请号： | 200710069121.1 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101066842A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张溪文;李敏伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C23C16/515;C23C16/42;C23C16/54 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 非晶氢硅 薄膜 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.制备非晶氢硅薄膜的方法，其特征是步骤如下：
将清冼后的基板置于反应室中，反应室抽真空到至少10-3Pa，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的体积浓度为20～50％的硅烷反应气体，反应室压强为100～1000Pa，基板在室温或加热至50～100℃，开启高压脉冲电源，调整电压5～20KV，频率5～20KHz，脉冲上升沿20kV/μS，脉冲宽度2μS，气体放电沉积薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备非晶氢硅薄膜的方法，其特征是所说的基板为玻璃、硅片、塑料或铝材。
3.用于实现权利要求1所述的制备非晶氢硅薄膜方法的装置，其特征是包括绝缘陶瓷制的反应窒(5)，反应室的相对两壁设有对称的平面狭缝式进气通道(6-1)和出气通道(6-2)，反应室内有两块上下平行的电极，上电极(1)与高压脉冲电源(7)相连，其下表面覆盖厚度2mm以下的陶瓷板(4)，下电极(2)固定在加热器(9)上并接地，加热器(9)与反应室外的加热温控装置(8)相连。
4.根据权利要求3所述的制备非晶氢硅薄膜的装置，其特征是高压脉冲电源的电压为5～20kV、频率5～20kHz、脉冲上升沿20kV/μS、脉冲宽度2μS。
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