[发明专利]一种有机电致发光元件及其制作方法无效
申请号: | 200710064862.0 | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101276882A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 李大勇;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 元件 及其 制作方法 | ||
1. 一种有机电致发光元件,包括阴极层和阳极层,以及夹在阴极层与阳极层之间的至少一层有机化合物薄膜,其特征在于,该有机电致发光元件还包括:
一金属氧化物薄膜层,位于阳极层与有机化合物薄膜层之间,紧邻阳极层。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,所述金属氧化物薄膜层为绝缘材料。
3. 根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,所述金属氧化物薄膜层的厚度为纳米级。
4. 根据权利要求1所述的有机电致发光元件,其特征在于,所述有机化合物薄膜至少包含一层发光层材料薄膜。
5. 根据权利要求4所述的有机电致发光元件,其特征在于,
当该有机电致发光元件仅包括一层有机化合物薄膜时,该有机化合物薄膜层为发光层材料;
当该有机电致发光元件包括多层有机化合物薄膜时,该有机化合物薄膜层中包含有一层发光层材料。
6. 一种制作有机电致发光元件的方法,其特征在于,该方法包括:
A、在阳极衬底上制作纳米级的金属氧化物薄膜层;
B、对制作的金属氧化物薄膜层进行彻底氧化处理;
C、在氧化后的金属氧化物薄膜层上制作有机化合物薄膜层;
D、蒸镀金属阴极并封装。
7. 根据权利要求6所述的制作有机电致发光元件的方法,其特征在于,所述步骤A包括:
在铟锡氧化物薄膜ITO玻璃基底上涂一层光刻胶,通过湿法腐蚀或干法刻蚀,然后去胶,得到图形化的ITO作为阳极衬底;
在图形化的ITO上蒸镀金属铝层,工艺条件为:在5×10-5Pa的真空下,以0.01nm/s的速度进行蒸镀,金属铝层的厚度为0.3nm,通过真空蒸镀仪器的晶振装置来控制该厚度。
8. 根据权利要求6所述的制作有机电致发光元件的方法,其特征在于,步骤B中所述彻底氧化处理采用氧等离子或紫外线照射产生的臭氧对金属氧化物薄膜层进行氧化处理,其中采用氧等离子的工艺条件为:在7Pa的氧气氛围下,以10W的功率,对金属氧化物薄膜层处理60秒,使该铝层彻底氧化为三氧化二铝。
9. 根据权利要求6所述的制作有机电致发光元件的方法,其特征在于,所述步骤C包括:
在氧化后的金属氧化物薄膜层上蒸镀芳香旗二胺类衍生物NPB材料层,工艺条件为:在8×10-3Pa的真空下,以0.3nm/s的速度进行蒸镀,厚度为50nm,通过真空蒸镀仪器的晶振来监测该厚度;
在NPB材料层上蒸镀发光层材料Alq3,工艺条件为:在8×10-3Pa的真空下,以0.3nm/s的速度进行蒸镀,厚度为50nm,通过真空蒸镀仪器的晶振来监测该厚度。
10. 根据权利要求6所述的制作有机电致发光元件的方法,其特征在于,所述步骤D包括:
在制作的有机化合物薄膜层上蒸镀镁银合金金属电极,工艺条件为:在8×10-3Pa的真空下,以0.3nm/s的速度进行蒸镀,厚度为100nm,通过真空蒸镀仪器的晶振来监测该厚度;
然后通过紫外固化胶,将经过上述处理的衬底与一片适合大小的玻璃片黏合在一起,实现封装。
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