[发明专利]在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710048012.1 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101235540A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周圣明;林辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝酸锂 晶片 表面 低温 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法，其特征是将铝酸锂晶片置于氨气气氛的容器中，对铝酸锂晶片表面进行低温氮化处理，在铝酸锂表面获得氮化铝薄膜。
2、根据权利要求1所述的在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法，其特征是具体步骤如下：
①将抛光好的铝酸锂晶片，即(100)γ-LiAlO2晶片置于较高纯度的流动或密封氨气气氛的容器中；
②在室温至800℃的温度范围内，保温0.1至120小时，然后降到室温，获得在(100)γ-LiAlO2晶片表面上覆盖(0001)氮化铝薄膜晶片，取出晶片。
3、根据权利要求1所述的在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法，其特征是所述的容器为玻璃容器、或石英容器、或金属容器。
4、根据权利要求2所述的在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法，其特征是容器中的氨气的气压为1大气压，但不限于1大气压，容器中氨气纯度大于99％。
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