[发明专利]金属硅化物的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造工艺，具体地说，涉及一种晶圆表面金属硅化物的制备方法。

背景技术

由于晶圆表面的金属硅化物不仅可以减小源/漏极和栅极的电阻，降低其接触电阻，还可以缩短了与栅极相关的RC延迟，因此金属硅化物(Salicide)制备工艺成为超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。

图1是采用现有制备方法制备金属硅化物的结构示意图。现有的制备方法一般采用如下步骤：在晶圆有源区(active area)11的表面形成一层绝缘层12，其可以是二氧化硅，也可以是氮氧化硅和氮化硅；接下来在绝缘层上涂光阻13，然后进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；采用干法蚀刻和湿法蚀刻相结合的方法将未被光阻覆盖的绝缘层去除；移除剩余光阻；淀积金属，金属与有源区表面未被绝缘层覆盖的硅发生反应形成金属硅化物14。但是，在上述湿法蚀刻步骤时，由于光阻13与绝缘层12的黏附性不太好，蚀刻液常常会侵入光阻与绝缘层之间，导致光阻13发生偏移，从而影响蚀刻位置的准确性。

发明内容

有鉴于此，本发明解决的技术问题是提供一种金属硅化物的制备方法，其可以提高形成金属硅化物区域的准确性。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的金属硅化物的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供晶圆，在晶圆表面依次形成氧化层和硬掩膜；在硬掩膜上涂光阻，进行曝光、显影步骤将需要形成金属硅化物区域对应的光阻去除；进行干法蚀刻步骤，去除未被光阻覆盖的硬掩膜；进行湿法蚀刻步骤，去除未被硬掩膜覆盖的氧化层；淀积金属，金属与晶圆表面未被氧化层覆盖的硅反应形成金属硅化物。

与现有技术相比，本发明的制备方法采用硬掩膜作为氧化层的覆盖层，硬掩膜与氧化层粘附性好，不会在湿法蚀刻步骤中发生偏移，提高了蚀刻的准确性，从而保证了只有在需要的晶圆表面形成金属硅化物。

附图说明

图1是采用现有制备方法制备金属硅化物的结构示意图。

图2是采用本发明制备方法制备金属硅化物的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明一实施例进行描述，以期进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。请参阅图2，本发明提供的金属硅化物的制备方法包括如下步骤：

在晶圆有源区1的表面依次形成氧化层2和硬掩模3；其中氧化层2是二氧化硅，硬掩模3可以是氮化硅或者是氮氧化硅，还可以是其他满足工艺要求的材料；

在硬掩膜3上涂光阻4，然后进行光刻(photo)步骤，即进行曝光、显影步骤，将需要形成金属硅化物的区域对应的光阻去除；

然后进行干法蚀刻步骤，将未被光阻4覆盖的硬掩膜3去除；该干法蚀刻步骤还可以蚀刻掉部分氧化层2，为了避免干法蚀刻过程中等离子体损坏晶圆表面，需要保留薄薄一层，当然也可以是蚀刻到氧化层2就停止；

移除剩余的光阻，当然剩余光阻也可以在形成金属硅化物后再移除；

进行湿法蚀刻步骤，本实施中采用的蚀刻液是氢氟酸，在氢氟酸的作用下未被硬掩膜3覆盖的氧化层2被蚀刻掉，露出有源区的表面；

进行淀积金属步骤，在一定条件下，金属与有源区未被氧化层2覆盖的硅发生化学反应形成金属硅化物5，该金属可以是钴、钛、钨，也可以是其他合适的金属。

由于氧化层2和硬掩膜3之间具有很好的粘附性，在上述湿法蚀刻步骤中，蚀刻液不会造成硬掩膜的偏移，提高了蚀刻区域的准确性，实现了对金属硅化物尺寸的精确控制。

上述描述，仅是对本发明较佳实施例的具体描述，并非对本发明的任何限定，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据上述揭示内容进行简单修改、添加、变换，且均属于权利要求书中保护的内容。