[发明专利]一种芯片的蚀刻方法有效
| 申请号： | 200710040531.3 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101303964A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李建凤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 蚀刻 方法 | ||
1.一种芯片的蚀刻方法，该芯片包括保护层、金属层、氧化层及底层；
所述蚀刻方法包括
突破步骤，该步骤完成保护层的蚀刻；
主蚀刻步骤，该步骤完成金属层的蚀刻；
过蚀刻步骤，该步骤完成氧化层的蚀刻；
其特征在于：
所述主蚀刻步骤分为第一主蚀刻步骤及第二主蚀刻步骤，所述第一主蚀刻步骤通过控制蚀刻时间来控制蚀刻的结束，所述第二主蚀刻步骤通过金属层端点返回的信号来控制蚀刻的结束；
在所述第一主蚀刻步骤中蚀刻机台使用第一压力完成蚀刻，在第二主蚀刻步骤中蚀刻机台使用第二压力完成蚀刻，所述第二压力与第一压力之比的范围为1-3；所述第二主蚀刻步骤中的BCl3气体流量相对于第一主蚀刻步骤中的BCl3气体流量减少。
2.如权利要求1所述的芯片的蚀刻方法，其特征在于，所述金属层为铝铜合金；所述保护层包括氧化硅层和氮化钛层。
3.如权利要求1所述的芯片的蚀刻方法，其特征在于，在所述第一主蚀刻步骤中蚀刻机台使用第一压力完成蚀刻，在过蚀刻步骤中蚀刻机台使用第三压力完成蚀刻，所述第三压力与第一压力之比的范围为1-3。
4.如权利要求1或2或3所述的芯片的蚀刻方法，其特征在于，在所述第一主蚀刻步骤中使用蚀刻气体，该气体为25个单位体积流量的Cl2、45个单位体积流量的BCl3、5个单位体积流量的CHF3；在过蚀刻步骤中使用蚀刻气体，该气体为25个单位体积流量的Cl2、20个单位体积流量的BCl3、0-5个单位体积流量的N2。
5.如权利要求1或2或3所述的芯片的蚀刻方法，其特征在于，在所述第二主蚀刻步骤中使用蚀刻气体，该气体为25个单位体积流量的Cl2、20个单位体积流量的BCl3、5个单位体积流量的N2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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