[发明专利]光电探测器和用来提高收集的N－层结构有效
| 申请号： | 200680035943.1 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101273457A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | E·G·斯蒂文斯;D·N·尼克尔斯 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 用来 提高 收集 结构 | ||
1.一种图像区域具有多个第一导电类型光电探测器的图像传感器，包括：
(a)第二导电类型的衬底；
(b)跨越图像区域的第一导电类型的第一层；和
(c)第二导电类型的第二层；
其中第一层在衬底和第二层之间，并且多个光电探测器设置在第二层并邻接第一层。
2.根据权利要求1的像素传感器，其中光电探测器是第一和第二导电类型的钉扎光电二极管。
3.根据权利要求1的像素传感器，其中第一导电类型是n-型且第二导电类型是p-型。
4.根据权利要求1的像素传感器，进一步包括衬底和第一层之间的第二导电类型的外延层。
5.根据权利要求1的像素传感器，其中在光电探测器下方第一层被耗尽自由载流子。
6.根据权利要求5的像素传感器，其中在光电探测器和像素电路区下方第一层被耗尽自由载流子。
7.一种数字相机，包括：
图像区域具有多个第一导电类型光电探测器的图像传感器，其包括：
(a)第二导电类型的衬底；
(b)跨越图像区域的第一导电类型的第一层；和
(c)第二导电类型的第二层；
其中第一层在衬底和第二层之间，并且多个光电探测器设置在第二层并邻接第一层。
8.根据权利要求7的数字照相机，其中光电探测器是第一和第二导电类型的钉扎光电二极管。
9.根据权利要求7的数字照相机，其中第一导电类型是n-型且第二导电类型是p-型。
10.根据权利要求7的数字照相机，进一步包括衬底和第一层之间的第二导电类型的外延层。
11.根据权利要求7的数字照相机，其中第一层被耗尽自由载流子。
12.根据权利要求11的数字照相机，其中第一层被完全耗尽自由载流子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
