[发明专利]组成渐变光伏装置及其制备方法与相关制品技术

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括

(a)传导类型的半导体基体；和

(b)设置于该半导体基体至少一个表面上的无定形半导体层，其中该无定形半导体层沿其深度方向组成渐变，从与基体的界面上基本上为本征性变化为在相对侧上基本上为传导性。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述基体是单晶或多晶的；和是n型或p型。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中构件(b)的无定形半导体层的厚度小于约250埃。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中构件(b)的无定形半导体层的厚度为约30-约180埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述无定形半导体层中包含n型或p型杂质以提供所选择的传导性。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中n型杂质包括磷；和p型杂质包括硼。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中所述无定形半导体层所选择的传导性与基体的传导性相反。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中至少部分无定形半导体层与基体形成异质结。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中与基体的界面上杂质的浓度基本上为0；和相对侧上的杂质浓度为约1×10¹⁶cm^-3-约1×10²¹cm^-3。

10.一种光伏装置，其包括权利要求1的半导体结构，并且还包括：

设置于所述无定形半导体层表面上的透明电极层，该层与基体相间隔；和

设置在基体的相对表面上的电极。

11.如权利要求10所述的光伏装置光伏装置，其还包括设置在透明电极层上的集电极。

12.一种半导体结构，包括：

(a)传导类型的半导体基体；

(b)设置于该半导体基体第一表面上的第一无定形半导体层，其中该无定形半导体层沿其深度方向组成渐变，从与基体的界面上基本上为本征性变化为在相对侧上基本上为传导性；

(c)设置于第一无定形半导体层表面上的第一透明电极层；

(d)设置于第一透明电极层上的至少一个电触头；

(e)设置于该半导体基体第二表面上的第二无定形半导体层，该第二表面基本上与第一基体表面相对，其中第二无定形半导体层在深度方向组成渐变，从与基体的界面上基本上为本征性变化为在相对侧上基本上为传导性；

(f)设置在第二无定形半导体层表面上的第二透明电极层；和

(g)设置于第二透明电极层上的至少一个电触头。

13.一种太阳能电池组件，其包括一个或多个太阳能电池装置，其中至少一个太阳能电池装置包括：

(i)传导类型的半导体基体；和

(ii)设置于该半导体基体至少一个表面上的无定形半导体层，其中该无定形半导体层沿其深度方向组成渐变，从与基体的界面上基本上为本征性变化为在相对侧上基本上为传导性。

14.一种制备光伏装置的方法，包括至少在半导体基体的第一表面上形成无定形半导体层的步骤，其中通过在基体上连续沉积半导体材料和掺杂剂，同时改变掺杂剂的浓度来形成该无定形半导体层，从而该无定形半导体层沿着其深度方向上组成渐变，从与基体的界面上基本上为本征性变化为在相对侧上基本上为传导性。

15.如权利要求14所述的方法，其中通过等离子体沉积工艺来形成无定形半导体层。

16.如权利要求15所述的方法，其中等离子体沉积工艺是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

17.如权利要求14所述的方法，其中通过在半导体基体的两个表面上沉积半导体材料来形成两层组成渐变的无定形半导体层。

18.如权利要求14所述的方法，进一步包括在无定形半导体层表面上形成透明电极层，随后在该透明电极层上形成至少一个金属触头的步骤。

19.如权利要求18所述的方法，进一步包括在与半导体基体第一表面相对的半导体基体第二表面上提供至少一个电极的步骤。