[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200680027164.7 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101228630A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/12;H01L21/822;H04B1/59;H04B5/02;G06K19/07 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种包括谐振电路的半导体器件，所述谐振电路包括：
N型MOS电容器元件，其具有-0.1V至-24V范围内的阈值电压；和
天线，其被电连接到所述N型MOS电容器元件，
其中，所述N型MOS电容器元件的所述阈值电压的绝对值在最小工作电源电压的一半至最大工作电源电压的两倍的范围内，并且
其中，通过所述天线来无线发送和接收数据。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述N型MOS电容器元件的半导体区域包括浓度为1×1017原子/立方厘米至1×1020原子/立方厘米的N型杂质元素。
3.一种包括谐振电路的半导体器件，所述谐振电路包括：
P型MOS电容器元件，其具有0.1V至24V范围内的阈值电压；和
天线，其被电连接到所述P型MOS电容器元件，
其中，所述P型MOS电容器元件的所述阈值电压的绝对值在最小工作电源电压的一半至最大工作电源电压的两倍的范围内，并且
其中，通过所述天线来无线发送和接收数据。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述P型MOS电容器元件的半导体区域包括浓度为1×1017原子/立方厘米至1×1020原子/立方厘米的P型杂质元素。
5.如权利要求1和3中任意一项所述的半导体器件，还包括设置在玻璃衬底或柔性衬底上的集成电路。
6.如权利要求1和3中任意一项所述的半导体器件，还包括含有薄膜晶体管的集成电路。
7.一种配备有根据权利要求1和3中任意一项所述的半导体器件的票据、硬币、证券、证书、不记名债券、用于包装的容器、书本、存储介质、车辆、食品、服装、保健品、日用品、药品或者电子设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
