[发明专利]用于半导体应用的精确温度测量

权利要求书

1.一种处理室，包括：

温度传感元件，其设置于所述处理室中，其中，所述温度传感元件具有空腔；

透明盖体，其设置在所述空腔的开口上方；

材料，其设置于所述温度传感元件的所述空腔中；以及传感器，其配置为透过所述透明盖体传感所述材料的相变。

2.根据权利要求1所述的处理室，其中，所述相变包括从固相到液相的变化或从液相到固相的变化中的一种。

3.根据权利要求1所述的处理室，其中，所述材料为无机化合物或有机化合物中的一种。

4.根据权利要求3所述的处理室，其中，所述有机化合物选自由萘、水杨酸和二苯甲酮组成的组，以及所述无机化合物选自由硝酸钴(II)、苯甲酸铝、乙酸铝、溴化锑(III)和氯化锑(III)组成的组。

5.根据权利要求1所述的处理室，其中，所述空腔具有至少两个腔室，并且当所述材料经历相变时，所述空腔内的所述材料从第一腔室转移到第二腔室。

6.根据权利要求1所述的处理室，其中，所述传感器为激光光谱仪，以及所述透明材料为石英。

7.根据权利要求1所述的处理室，其中，所述温度传感元件为基板支持件。

8.一种处理室，包括：

温度传感元件，其设置在表面上，其中所述温度传感元件具有空腔，所述温度传感元件由透明材料制成；

材料，其设置于所述温度传感元件的空腔内，并与所述表面相接触；以及

传感器，其配置为传感所述材料的相变。

9.根据权利要求8所述的处理室，其中，所述相变包括从固相到液相的变化或从液相到固相的变化中的一种。

10.根据权利要求8所述的处理室，其中，所述透明材料为石英，以及所述传感器为激光光谱仪。

11.根据权利要求8所述的处理室，其中，所述材料为有机化合物或无机化合物中的一种。

12.根据权利要求11所述的处理室，其中，所述有机化合物选自由萘、水杨酸和二苯甲酮组成的组。

13.根据权利要求11所述的处理室，其中，所述无机化合物选自由硝酸钴(II)、苯甲酸铝、乙酸铝、溴化锑(III)和氯化锑(III)组成的组。

14.根据权利要求8所述的处理室，其中，所述温度传感元件为测试基板。

15.根据权利要求8所述的处理室，其中，所述温度传感元件设置于带有被处理的基板的基板支持件上。

16.一种用于表征处理室中温度分布的方法，所述方法包括：

在所述处理室中设置具有嵌入材料的温度传感元件；

在所述处理室中开始处理操作；

检测所述嵌入材料的相变；以及

记录与所述相变相关联的温度。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：

在所述处理室的内表面上设置温度传感元件。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述温度传感元件为基板支持件。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述相变包括从固相到液相的变化或从液相到固相的变化中的一种。

20.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：

使用透明盖体覆盖所述嵌入的材料。