[发明专利]等离子掺杂方法和等离子处理装置

权利要求书

1.一种等离子掺杂方法，包括以下步骤：

经由真空室的贯通门将样品传送到真空室内；

将所述样品安放在所述真空室内的样品电极上；

将所述真空室的内部排空，同时使气体几乎各向同性地从与所述样品相对的表面流向朝所述样品；在所述真空室内产生等离子体，同时将所述真空室内部控制在预定的压力；和

使所述等离子体内的杂质离子与所述样品的表面碰撞，以把所述杂质离子导入所述样品的表面；

其中贯通门在所述等离子体产生时被活门覆盖。

2.如权利要求1所述的等离子掺杂方法，还包括以下步骤：

通过用高频电供应等离子源，在真空室内产生等离子体。

3.如权利要求1所述的等离子掺杂方法，其中所述样品是由硅制成的半导体衬底。

4.如权利要求1所述的等离子掺杂方法，其中所述纯净物是砷、磷、硼、铝或锑。

5.一种等离子处理装置，包括：

真空室；

样品电极：

用来将气体供应到所述真空室内的气体供应装置；

各向同性地设置且同时与所述样品电极相对的气体流出孔；用来将所述真空室内部排空的排气口；

用来控制所述真空室内部压力的压力控制器；和

用来给所述样品电极供应电的样品电极电源；

其中所述真空室包括贯通门和活门，包括驱动装置的所述活门可以在所述贯通门开启的打开位置和所述贯通门被盖住的关闭位置之间移动。

6.如权利要求5所述的等离子掺杂装置，其中所述活门具有圆柱形形状。

7.如权利要求6所述的等离子掺杂装置，其中所述真空室具有圆柱形形状。

8.如权利要求5所述的等离子掺杂装置，还包括在所述活门内固定到所述真空室的圆柱形内室。

9.如权利要求8所述的等离子掺杂装置，其中所述内室的最低部分定位于所述活门的最低部分之下。

10.如权利要求5所述的等离子掺杂装置，其中所述内室的最低部分定位于所述样品电极的上表面之下。

11.如权利要求5所述的等离子掺杂装置，其中所述驱动装置包括电机、与所述活门紧密接触的旋转体和用来把所述电机的旋转运动传递给所述旋转体的传动件。

12.如权利要求11所述的等离子掺杂装置，其中所述旋转体是由弹性树脂制成。

13.如权利要求8所述的等离子掺杂装置，其中所述内室通过将伸出所述圆柱外的盖件设置在所述真空室的上表面来固定到所述真空室。

14.如权利要求13所述的等离子掺杂装置，其中所述内室和所述活门用圆柱形轴承单元相互联接。

15.如权利要求14所述的等离子掺杂装置，还包括在上位和下位这两个位置中的每一个的所述轴承单元。

16.如权利要求14所述的等离子掺杂装置，其中在所述活门的圆柱内伸出的凸件的内周配合到设置在所述内室的圆柱外的凹件，其中所述轴承单元设置在所述凸件和所述凹件之间，且其中所述凸件的内径小于所述内室的圆柱的外部形状。