[发明专利]机电存储器、使用其的电路、和机电存储器驱动方法无效
申请号: | 200680002694.6 | 申请日: | 2006-06-21 |
公开(公告)号: | CN101107711A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 内藤康幸 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;B81B3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 肖鹂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 机电 存储器 使用 电路 驱动 方法 | ||
1.一种在基底上形成的机电存储器,包括:
在基底上形成使得存储单元插入在第一电极和第二电极之间的存储部;和
具有可移动的电极的开关部,可移动电极是在所述基底上形成的支柱部上方延伸的梁形构件,同时以预定距离与第一电极隔离,并且所述开关部形成使得可以通过由静电力引起的可移动电极的位移而在第一电极和可移动电极之间形成导电路径,并且
其中进行了将数据写入所述存储器和从所述存储器读出的操作。
2.根据权利要求1的机电存储器,其中所述静电力由位于存储部附近的驱动电极和所述可移动电极之间的电位差所产生。
3.根据权利要求2的机电存储器,其中所述驱动电极由两个并列布置于所述存储部两侧的静止电极所配置。
4.根据权利要求1的机电存储器,其中所述静电力由所述第二电极和可移动电极之间的电位差产生。
5.根据权利要求1的机电存储器,其中所述存储部由多个并列布置的存储部配置。
6.根据权利要求5的机电存储器,其中在所述存储部中,所述第一和第二电极的至少之一连接公共电位。
7.根据权利要求5的机电存储器,其中在存储部中,所述第一和第二电极的至少之一连接到相互独立的电位。
8.根据权利要求2的机电存储器,其中所述驱动电极形成从而邻接所述存储部或通过覆盖所述驱动电极的侧壁的绝缘膜邻接所述支柱部。
9.根据权利要求2的机电存储器,其中所述驱动电极通过绝缘膜与所述可移动电极相对。
10.根据权利要求4的机电存储器,其中所述支柱部形成从而通过覆盖所述存储部的侧壁的绝缘膜邻接存储部。
11.根据权利要求1的机电存储器,其中第二存储部布置使得横过所述可移动电极与存储部对称。
12.根据权利要求1的机电存储器,其中所述存储器形成使得存储部的面积比与可移动电极对置的面积大。
13.根据权利要求1的机电存储器,其中所述存储器形成使得所述第二电极的面积比第一电极的面积大。
14.根据权利要求1的机电存储器,其中多个机电存储器形成于所述基底上,并且所述可移动电极构成位线。
15.根据权利要求2的机电存储器,其中多个机电存储器形成于所述基底上,并且所述驱动电极构成字线。
16.根据权利要求4的机电存储器,其中多个机电存储器形成于所述基底上,并且所述第二电极构成位线。
17.根据权利要求1的机电存储器,其中所述存储单元由绝缘材料形成。
18.根据权利要求1的机电存储器,其中所述存储单元由介电材料形成。
19.根据权利要求1的机电存储器,其中在其间插入存储单元的所述电极由磁材料形成。
20.一种使用根据权利要求1至19任一项的机电存储器的电路。
21.一种驱动机电存储器进行将数据写入所述存储单元或从所述存储单元读出的方法,所述方法包括:
提供所述机电存储器,所述机电存储器包括:
在基底上形成使得存储单元插入在第一电极和第二电极之间的存储部;和
具有可移动电极的开关部,可移动电极是在所述基底上形成的支柱部上方延伸的梁形构件,同时以预定距离与第一电极隔离,并且开关部形成使得可以通过所述第二电极和可移动电极之间的电位差所产生的静电力引起的可移动电极的位移而在第一电极和可移动电极之间形成导电路径,并且
控制所述第二电极的电位,使得在写入中写入电压比写入开关驱动电压和读出开关驱动电压高,由此进行写入和读出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680002694.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发泡树脂成型品的成型方法及成型装置
- 下一篇:用于吊顶的单层的腹板横梁
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的