[发明专利]电介质膜的成膜方法

权利要求书

1.一种SiOCH膜的成膜方法，其特征在于：

具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，

所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在各单元成膜处理工序的堆积工序中，堆积50～400nm膜厚的SiOCH膜要素。

3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：

在各单元成膜处理工序的堆积工序中，将基板温度调整为从室温至200℃的范围的第一基板温度，

在各单元成膜处理工序的氢等离子体处理工序中，将基板温度调整为比第一基板温度高的第二基板温度。

4.如权利要求3所述的成膜方法，其特征在于：

各单元成膜处理工序的堆积工序利用第一基板处理装置执行，

各单元成膜处理工序的氢等离子体处理工序利用第二基板处理装置执行。

5.如权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其特征在于：

在欲形成SiOCH膜的基板的上面，预先形成选自SiC、SiN、SiCN和SiCO中的绝缘膜，

在最初的单元成膜处理工序之前，进行氧等离子体工序，对所述绝缘膜的表面进行氧等离子体处理。

6.如权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其特征在于：

在各单元成膜处理工序中，在堆积工序与氢等离子体处理工序之间，进行氧等离子体工序，对通过该堆积工序堆积的SiOCH膜要素的表面进行氧等离子体处理。

7.一种成膜装置，其特征在于，

具有：

堆积装置，以有机硅化合物作为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素；

氢等离子体处理装置，对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理；和

装置控制部，控制所述堆积装置和所述氢等离子体处理装置，使得SiOCH膜的成膜方法被实施，该SiOCH膜的成膜方法具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物作为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

8.一种存储介质，其特征在于：

存储用于使控制方法在计算机上实施的计算机程序，

该控制方法控制成膜装置，该成膜装置具有：以有机硅化合物为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积装置；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理装置，

该控制方法控制所述堆积装置和所述氢等离子体处理装置，使得SiOCH膜的成膜方法被实施，该SiOCH膜的成膜方法具有单元成膜处理工序，并将该单元成膜处理工序反复进行多次，由此在基板上形成SiOCH膜，所述单元成膜处理工序包括：以有机硅化合物作为原料，利用等离子体CVD法堆积SiOCH膜要素的堆积工序；和对被堆积的所述SiOCH膜要素进行氢等离子体处理的氢等离子体处理工序。

9.一种多层配线结构，其特征在于：

具有由在绝缘膜上形成的多个SiOCH多孔质膜构成的层间绝缘膜，并在该层间绝缘膜中形成有配线层。

10.如权利要求9所述的多层配线结构，其特征在于：

所述多个SiOCH多孔质膜各自具有50～400nm的膜厚。

11.如权利要求9或10所述的多层配线结构，其特征在于：

所述配线层形成于在所述多个SiOCH多孔质膜的叠层方向上形成的槽中。

12.如权利要求9～11中任一项所述的多层配线结构，其特征在于：所述层间绝缘膜整体具有7.5GPa以上的弹性模量。

13.一种半导体装置，其特征在于：

具有权利要求9～12中任一项所述的多层配线结构。