[实用新型]垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管无效
| 申请号： | 200620154567.5 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN200986919Y | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 510663广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 对准 悬浮 mos 三极管 | ||
1、一种垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管，包括硅衬底(1)，位于所述硅衬底(1)背面的漏极金属(2)、位于所述硅衬底(1)正面的外延层(8)，形成于所述外延层(8)正面的氧化层(9)，位于所述氧化层(9)正面的源极金属(3)、栅极金属(4)，植入到所述外延层(8)中的阱区(51)、源区(52)，生长于所述外延层(8)正面的栅氧化层I(60)、栅氧化层II(61)，位于所述栅氧化层I(60)、所述栅氧化层II(61)上的多晶硅栅极(7)，所述氧化层(9)内有若干个接触孔(90)，所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)填充若干个所述接触孔(90)并分别与所述阱区(51)、所述源区(52)及所述多晶硅栅极(7)相连接，其特征在于：位于所述栅氧化层II(61)上的每条所述多晶硅栅极(7)中间断开分成两部分(71、72)，两部分所述多晶硅栅极(71、72)之间相应的下方所述阱区(51)之间有悬浮漏区(53)。
2、根据权利要求1所述的垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管，其特征在于：所述垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管还包括高压保护扩散区(10)，所述高压保护扩散区(10)位于所述外延层(8)内，所述高压保护扩散区(10)极性与所述硅衬底(1)极性相反。
3、根据权利要求1或2所述的垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管，其特征在于：所述硅衬底(1)为N型衬底，所述外延层(8)为N型外延，所述阱区(51)为P型阱区，所述源区(52)为N+源区，所述悬浮漏区(53)为N型漏区。
4、根据权利要求1或2所述的垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管，其特征在于：所述硅衬底(1)为P型衬底，所述外延层(8)为P型外延，所述阱区(51)为N型阱区，所述源区(52)为P+源区，所述悬浮漏区(53)为P型漏区。
5、根据权利要求1或2所述的垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管，其特征在于：所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)为铝或铜或硅铝合金，所述漏极金属(2)为钛、镍、银三层金属或钛、镍、银、锡、银五层金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
