[发明专利]液晶面板的晶胞厚间隙形成方法

权利要求书

1.一种液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，包括下列步骤：

(A)底面基板及顶面基板定位，将一底面基板与一顶面基板输送至之固定位置，即顶面基板位于底面基板上方；

(B)隔离层移动至定位，即至少一隔离层移动对应至步骤A的底面基板与顶面基板之间位置，即位于底面基板上方及顶面基板下方间位置，隔离层内设有数个隔离柱与空洞；

(C)隔离层粘合至底面基板，即将步骤B的隔离层下方粘合至底面基板顶端；

(D)注入液晶于隔离层之空洞中，将步骤c完成粘合底面基层之隔离层，供液晶注入该步骤A的隔离层的空洞中；

(E)粘合隔离层与顶面基板，即藉由步骤D完成液晶注入步骤的隔离层顶端的上端粘合至步骤A的顶面基板下方，使该底面基板、隔离层与顶面基板结合为一体；

(F)用紫外光设备照射加热，即将步骤E完成底面基板、隔离层与顶面基板组合一体的结构，通过紫外光设备进行照射加热，使隔离层与底面基板、顶面基板间稳固结合；

(G)裁切成型，即将步骤F完成紫外光照射的底面基板、隔离层与顶面基板组合一体的结构中的隔离层进行切割，形成一厚晶胞间隙的液晶面板产品。

2.根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤A中的底面基板包括：一底层，位于底部；一ITO导电层，结合于底层上；一配向层，结合于ITO导电层上。

3.根据权利要求2所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述底层为玻璃；所述底层为挠性基板构成。

4.根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤B中的隔离层包括：数个隔离柱与空洞，分布于隔离层内，且隔离柱与空洞形成交错方式布置；一下UV粘胶层，结合于隔离柱与空洞下方；一下保护膜，结合下UV粘胶层，以保护下UV粘胶层；一上UV粘胶层，结合于隔离柱与空洞上方；一上保护膜，结合UV粘胶层，以保护上UV粘胶层并可用于封住空洞顶面。

5.根据权利要求4所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述隔离柱为聚四氟乙烯构成。

6.根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤B的隔离层为带状。

7.根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤A的顶面基板包括：

一配向层，位于顶面基板底面；一ITO导电层，结合于配向层上；一玻璃基体，结合于ITO导电层上。

8.根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤D的液晶注入隔离层空洞的方式为滴下式液晶注入(ODF)方法。

9.根据权利要求1所述的液晶面板的晶胞厚间隙形成方法，其特征在于，所述步骤B的隔离层数量为二个；所述两隔离层之间结合一双向配向薄膜，该双向配向薄膜包括：一透明基板；一第一配向膜，涂镀于透明基板顶面，结合于一隔离层；一第二配向膜，涂镀于透明基板底面，结合于另一隔离层；所述透明基板为一异向性聚合物薄片；所述第一配向膜的配向角度与第二配向膜之配向角度相差九十度。