[发明专利]图像传感器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器结构的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板；

于该基板上依序形成一图像传感器电路结构、一分隔层以及一图案化电极层；

移除未被该图案化电极层覆盖的该分隔层，以形成一图案化分隔层，其中该图案化分隔层的侧壁凹陷于该图案化电极层的侧壁；

于该图案化电极层上形成一第一掺杂非晶硅层，其中该第一掺杂非晶硅层为一不连续层。

2.如权利要求1所述的图像传感器结构的制造方法，还包括下列步骤：

于该图像传感器电路结构上形成一蚀刻停止层；以及

利用该图案化电极层作为掩模，蚀刻未被该图案化电极层覆盖的该分隔层，直至该蚀刻停止层。

3.如权利要求1所述的图像传感器结构的制造方法，其中移除该分隔层是利用湿蚀刻法进行。

4.如权利要求1所述的图像传感器结构的制造方法，其中该图案化分隔层具有一第一厚度，该图案化分隔层的侧壁与该图案化电极层的侧壁相距一第一距离，且该第一距离与该第一厚度具有一比值约为1～50。

5.如权利要求1所述的图像传感器结构的制造方法，更包括下列步骤：

于该第一掺杂非晶硅层上形成一未掺杂非晶硅层；

于该未掺杂非晶硅层上形成一第二掺杂非晶硅层，以形成一光电二极管层，其包括该第一掺杂非晶硅层、该未掺杂非晶硅层和该第二掺杂非晶硅层。

6.如权利要求5所述的图像传感器的制造方法，其中还包括：

形成一透明导电层于该光电二极管层上。

7.如权利要求5所述的图像传感器的制造方法，其中该第一掺杂非晶硅层的导电类型为n型，该第二掺杂非晶硅层的导电类型为p型，或该第一掺杂非晶硅层的导电类型为p型，该第二掺杂非晶硅层的导电类型为n型。

8.如权利要求1所述的图像传感器的制造方法，其中形成该第一掺杂非晶硅层的方法为等离子体增强型化学气相沉积工艺，并且该第一掺杂非晶硅层被该图案化分隔层切断而成为一不连续层。

9.一种图像传感器结构，包括：

一基板；

一图像传感器电路结构、一图案化分隔层以及一图案化电极层，依序形成于该基板上，其中该图案化分隔层具有一第一厚度，且该图案化分隔层的侧壁与该图案化电极层的侧壁相距一第一距离；以及

一第一掺杂非晶硅层，形成于该图案化电极层上，其中该第一掺杂非晶硅层为一不连续层。

10.如权利要求9所述的图像传感器结构，还包括：

一蚀刻停止层，形成于该图像传感器电路结构上，并且位于该图案化分隔层下方。

11.如权利要求10所述的图像传感器结构，其中该图案化分隔层与该蚀刻停止层的蚀刻选择比大于1。

12.如权利要求10所述的图像传感器结构，其中该蚀刻停止层为氮化物，该图案化分隔层为氧化物，或该蚀刻停止层为氧化物，该图案化分隔层为氮化物。

13.如权利要求9所述的图像传感器结构，其中该图案化电极层为氮化钛、铝、铝合金、铜、铜合金或其他铜基导电材料。

14.如权利要求9所述的图像传感器结构，其中该第一距离与该第一厚度具有一比值，其为1～50。

15.如权利要求9所述的图像传感器结构，其中还包括：

一未掺杂非晶硅层，形成于该第一掺杂非晶硅层上；

一第二掺杂非晶硅层，形成于该未掺杂非晶硅层上，以形成一光电二极管层，其包括该第一掺杂非晶硅层、该未掺杂非晶硅层和该第二掺杂非晶硅层。

16.如权利要求15所述的图像传感器结构，其中该第一掺杂非晶硅层的导电类型为n型，该第二掺杂非晶硅层的导电类型为p型，或该第一掺杂非晶硅层的导电类型为p型，该第二掺杂非晶硅层的导电类型为n型。

17.如权利要求15所述的图像传感器结构，其中还包括一透明导电层，形成于该光电二极管层上。

18.如权利要求17所述的图像传感器结构，其中该透明导电层为铟锡氧化物、氧化锡或其他类似的材料。