[发明专利]半导体接面温度检测装置与方法

权利要求书

1.一种半导体接面温度检测装置，其特征在于，包括：

受测元件(40)；

温控烤箱(30)，可容置所述受测元件(40)，并依设定对所述受测元件(40)加温；

测试单元(20)，具有计算机联机功能，可由计算机控制并和计算机进行数据的交换，并可输出测试电流或工作电流至所述受测元件(40)并测量偏压；

处理单元(10)，其具有控制软件，可接受输入参数、联机及控制所述温控烤箱(30)改变温度及所述测试单元(20)输出测量电流并读取电压值。

2.根据权利要求1所述的半导体接面温度检测装置，其特征在于，所述温控烤箱(30)可以为可与计算机联机的所述温控烤箱(30)，并可回传温度值。

3.根据权利要求1所述的半导体接面温度检测装置，其特征在于，所述测试单元包括电源供应器及电压计。

4.根据权利要求1所述的半导体接面温度检测装置，其特征在于，所述测试单元是包括感温元件，用以连接所述受测元件(40)并测量温度。

5.根据权利要求1所述的半导体接面温度检测装置，其特征在于，所述控制软件可依所述温控烤箱(30)及所述测试单元(20)回传的数据产生图表。

6.根据权利要求1所述的半导体接面温度检测装置，其特征在于，包括密封箱，所述密封箱具有多支感温器及温度记录器；

所述受测元件(40)是可容置于所述密封箱，所述测试单元(20)可连接至所述密封箱内的所述受测元件(40)，并提供工作电流或测试电流以及测量所述受测元件(40)的工作顺向偏压值；

所述温度记录器是连接于所述多支感温器及所述处理单元(10)之间，可利用感温器连接至所述受测元件(40)以量测温度并回传至所述处理单元(10)。

7.一种根据权利要求1所述的半导体接面温度检测装置的半导体接面温度检测方法，其特征在于，包括下列步骤：

(a)设定多个温度点及测量电流值；

(b)运用温控烤箱(30)加热受测元件(40)；

(c)待所述受测元件(40)加热达设定温度点并保持温度平衡时间，运用测试单元(20)提供测试电流通过所述受测元件(40)并量测所述受测元件(40)的顺向偏压值；

(d)重复前二步骤，以取得在不同测试电流通过所述受测元件(40)时，温度对顺向偏压变化的测量值；

(e)制作所述受测元件(40)在不同测试电流下，其温度对所述顺向偏压变化的曲线图表；

(f)取得所述受测元件(40)的工作顺向偏压；

(g)对照所述曲线图表，以所述工作顺向偏压值并利用内差法求得接面温度。

8.根据权利要求7所述的半导体接面温度检测方法，其特征在于，测试温度范围为0℃～200℃。

9.根据权利要求7所述的半导体接面温度检测方法，其特征在于，取得所述受测元件(40)的工作顺向偏压的步骤包括：

(a)所述受测元件(40)连接至所述测试单元(20)，通过工作电流；

(b)停止所述工作电流，运用所述测试单元(20)提供测试电流通过所述受测元件(40)并量测所述受测元件(40)以得到工作顺向偏压值。

10.根据权利要求7所述的半导体接面温度检测方法，其特征在于，所述接面温度值Tj是以内差法取得，其公式如下：

Tj＝T_X+(V_F-V_FX)*K

K＝(T_X+1-T_X)/(V_FX+1-V_FX)

11.根据权利要求7所述的半导体接面温度检测方法，其特征在于，所述温度平衡时间不少于10分钟。