[发明专利]薄膜晶体管数组基板结构及其工艺

权利要求书

1.一种薄膜晶体管数组基板工艺，其特征在于：包含下列步骤：

依序沉积一透明电极层及一第一金属层于一基板上；

使用第一道光罩工艺，将基板上的透明电极层及第一金属层形成多数个画素区域、多数个栅极电极及多数个储存电容的第一电极；

依序沉积一绝缘层、一非晶硅层及一掺杂非晶硅层；

使用第二道光罩工艺，将该绝缘层、该非晶硅层及该掺杂非晶硅层形成多数个通道区、多数个储存电容的介电层、多数个焊垫电极及多数个画素电极；

沉积一第二金属层；

使用第三道光罩工艺，将第二金属层形成多数个源极电极、多数个漏极电极及多数个储存电容的第二电极，该些漏极电极及第二电极电性连接至对应画素电极，而该源极电极和漏极电极之间的掺杂非晶硅层也被蚀刻断开；及

沉积一保护层后再使用第四道光罩工艺，藉以去除该些焊垫电极上的该保护层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管数组基板工艺，其特征在于：于进行第一道光罩工艺的步骤中，对第一金属层及透明电极图案化时，进一步保留对应面板焊垫位置的透明电极，该透明电极是作为焊垫电极之用。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组基板工艺，其特征在于：于使用第二道光罩工艺后，多数个画素区域及多数个焊垫区域的第一金属层均被移除，令其透明电极外露。

4.一种薄膜晶体管数组基板结构，是于一基板上形成有多数呈矩阵排列的画素，其中各画素包含：

一薄膜晶体管，形成于一基板的上表面，其由下至上包含有一栅极电极、一绝缘层、一非晶硅层、一源极少数载子掺杂区、一漏极少数载子掺杂区、一源极电极及一漏极电极；其中该栅极电极是由该透明电极层与该一第一金属层所组成的双层复合结构，该源极及漏极电极对应形成于源极及漏极少数载子掺杂区；

一储存电容，形成于该基板的上表面，包含有一第一电极、一介电层及一第二电极，其中该第一电极及该第二电极之间夹设该介电层；

一画素电极，形成于该基板的上表面，其分别与薄膜晶体管的漏极电极及储存电容的第二电极电连接；及

多数保护层，对应覆盖于该薄膜晶体管及该储存电容上。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管数组基板结构，其特征在于：该介电层包含有一绝缘层、一非晶硅层及一掺杂非晶硅层。

6.如权利要求4或5所述的薄膜晶体管数组基板结构，其特征在于：该第一电极是由该透明电极与该第一金属层所组成的双层复合结构。

7.如权利要求4或5所述的薄膜晶体管数组基板结构，其特征在于：该基板的矩阵画素周边形成有多数焊垫及各焊垫电极为透明电极。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管数组基板结构，其特征在于：该基板的矩阵画素周边形成有多数焊垫，各焊垫电极为透明电极。

9.如权利要求4所述的薄膜晶体管数组基板结构，其特征在于：该源极及漏极电极为一第二金属层所构成。

10.如权利要求4所述的薄膜晶体管数组基板结构，其特征在于：该储存电容的该第二电极为该第二金属层所构成。