[发明专利]电容器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器装置，其特征在于包括：

一半导体衬底，其上具有数个插塞；

一第一内介电层，位于该半导体衬底上；

一蚀刻终止层，位于该第一内介电层上；

一第二内介电层，位于该蚀刻终止层上；

一T字型沟槽，其贯穿该第一内介电层、该蚀刻终止层与该第二内介电层，且所述插塞自该T字型沟槽底端曝露出；

一扩散阻挡层，其位于该T字型沟槽内的四周壁上；

一下电极层，其位于该T字型沟槽内的该扩散阻碍层上；

一介电层，其覆盖于该下电极层、该扩散阻碍层与该第二内介电层的表面；

一上电极层，其位于该介电层上。

2.如权利要求1所述的电容器装置，其特征在于：该扩散阻碍层的材料为氮化钛、氮化硅钛或氮化铝钛中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的电容器装置，其特征在于：该下电极的材料选自白金、钉、氧化钌、氧化钉、铱、氧化铱、氧化铱中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的电容器装置，其特征在于：该上电极层的材料选自白金、钉、氧化钌、氧化钉、铱、氧化铱、氧化铱中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的电容器装置，其特征在于：该介电层的材料选自钛酸钡锶、氧化钽中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的电容器装置，其特征在于：该插塞的材料为多晶硅。

7.如权利要求1所述的电容器装置，其特征在于：该蚀刻终止层的材料为氮化物。

8.一种电容器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

提供一半导体衬底，其上形成有数个插塞；

在该半导体衬底上依次沉积一第一内介电层、一蚀刻终止层与一第二内介电层；

对该第二内介电层、该蚀刻终止层与该第一内介电层进行蚀刻，以形成一T字型沟槽；

在该T字型沟槽内依次形成一扩散阻碍层与一下电极层；

在该半导体衬底上形成一介电层；

在该半导体衬底上沈积一上电极层。

9.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于：该扩散阻碍层的材料选自氮化钛、氮化硅钛、氮化铝钛中的一种或多种。

10.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于：该下电极的材料选自白金、钉、氧化钌、氧化钉、铱、氧化铱、氧化铱中的一种或多种。

11.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于：该上电极层的材料选自白金、钉、氧化钌、氧化钉、铱、氧化铱、氧化铱中的一种或多种。

12.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于：该介电层的材料选自钛酸钡锶、氧化钽中的一种或多种。

13.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于：该插塞的材料为多晶硅。

14.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其特征在于：该蚀刻终止层的材料为氮化物。