[发明专利]有机电激发光显示器像素结构的制造方法

权利要求书

1.一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一栅极、与该第一栅极电性连接的一扫描线以及一第二栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层，覆盖该第一栅极、该扫描线与该第二栅极；

于该栅绝缘层上形成一第一通道层与一第二通道层，且分别位于该第一栅极与该第二栅极上方；

于该基板上形成一金属层，覆盖该第一通道层与该第二通道层；

图案化该金属层，以于该第一通道层上的两侧形成一第一源极、一第一漏极以及与该第一源极电性连接的一数据线，并且同时于该第二通道层上的两侧形成一第二源极、一第二漏极以及与该第二漏极电性连接的一阴极；

于该阴极上形成一有机官能层；以及

于该有机官能层上形成一阳极。

2.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括形成一电容器，该电容器的一端是与该第二栅极以及该第一漏极电性连接，另一端是电性连接至该第二源极。

3.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括于该第一通道层与该第一源极及第一漏极之间形成一第一欧姆接触层。

4.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括于该第二通道层与该第二源极及该第二漏极之间形成一第二欧姆接触层。

5.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该第一通道层与该第二通道层的材料包括非晶硅。

6.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该第一通道层与该第二通道层的材料包括有机半导体材质。

7.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该阴极材料包括铝、铬、银、铝合金、铬合金或银合金。

8.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该阳极材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

9.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其中于该阴极上形成该有机官能层之前，还包括在该基板上方形成一绝缘层，暴露出该阴极。

10.如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，于形成该阴极之后，还包括对该阴极表面进行等离子处理工艺。

11.如权利要求10所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，电浆该等离子处理工艺所使用的气体包括氢气、氧气或氮气。

12.一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一多晶硅层与一第二多晶硅层；

于基板上形成一栅绝缘层，覆盖该第一多晶硅层与该第二多晶硅层；

于该栅绝缘层上分别形成一第一栅极、与该第一栅极电性连接的一扫描线以及一第二栅极，其中该第一栅极与该第二栅极分别位于该第一多晶硅层与该第二多晶硅层上方；

于该第一栅极两侧的该第一多晶硅层中形成一第一源极区与一第一漏极区，且于该第二栅极两侧的该第二多晶硅层中形成一第二源极区与一第二漏极区；

于该基板上形成一介电层，覆盖该第一栅极、该第二栅极；

于该介电层与该栅绝缘层中形成一第一接触开口、一第二接触开口、一第三接触开口与一第四接触开口，其中该第一接触开口与该第二接触开口分别暴露出该第一源极区与该第一漏极区，而该第三接触开口与该第四接触开口分别暴露出该第二源极区与该第二漏极区；

于该介电层上形成一金属层，分别填入该第一接触开口、该第二接触开口、该第三接触开口与该第四接触开口中；

图案化该金属层，以形成一第一源极、一第一漏极以及与该第一源极电性连接的一数据线，并且形成一第二源极、一第二漏极以及与该第二漏极电性连接的一阴极；

于该基板上形成一保护层，覆盖该数据线、该扫描线、该第一源极、该第一漏极、该第二源极以及该第二漏极；

于该阴极上形成一有机官能层；以及

于该有机官能层上形成一阳极。