[发明专利]有机电激发光显示器像素结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种像素结构的制造方法，且特别有关于一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法。

背景技术

针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体元件或显示装置的快速发展。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的平面显示器(Flat Panel Display)已逐渐成为市场主流。目前市面上的平面显示器包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激发光显示器(OrganicElectro-Luminescence Display，OELD)以及等离子显示器面板(Plasma DisplayPanel，PDP)等等。其中，由于有机电激发光显示器因其无视角限制、低制造成本、高响应速度(约为液晶的百倍以上)、省电、直流驱动、工作温度范围大、重量轻与体积小等优点，而具有极大的发展潜力。一般来说，有机电激发光显示器是由多个像素结构所构成，各像素结构会依据其发光材料的不同而发出不同的色光，以达成全彩显示的目的。图1A～1G是现有的有机电激发光显示器像素结构的制造流程剖面示意图。图2是现有的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。请先参考图1A，于一基板100上沉积一非晶硅材料，且对非晶硅进行激光退火以形成一多晶硅材料，之后借助一道光掩膜工艺对多晶硅材料进行图案化，以形成一第一多晶硅层110与一第二多晶硅层112。接着，于基板100上形成一栅绝缘层120，以覆盖住第一多晶硅层110与第二多晶硅层112。

然后请同时参考图1B与图2，于栅绝缘层120上沉积一导体材料，并借助一道光掩膜工艺对导体材料进行图案化，以形成第一栅极130与第二栅极132。接着，以第一栅极130与第二栅极132当作掩膜进行掺杂(doping)工艺，于第一栅极130两侧的第一多晶硅层110中形成一第一源极区110a与一第一漏极区110b，且于第二栅极132两侧的第二多晶硅层112中形成一第二源极区112a与一第二漏极区112b。

然后请参考图1C，于基板100上形成一介电层140，以覆盖住第一栅极130、第二栅极132与部分栅绝缘层120。接着，对借助一道光掩膜工艺对介电层140进行图案化，以于介电层140与栅绝缘层120中形成一第一接触开口C1、一第二接触开口C2、一第三接触开口C3与一第四接触开口C4。其中，第一接触开口C1与第二接触开口C2分别暴露出第一源极区110a与第一漏极区110b，而第三接触开口C3与第四接触开口C4分别暴露出第二源极区112a与第二漏极区112b。

之后请参考图1D，于基板100上沉积金属材料，并填入第一接触开口C1、第二接触开口C2、第三接触开口C3与第四接触开口C4。接着，在借助一道光掩膜工艺对金属材料图案化，以形成第一源极150、第二源极152、第一漏极154与第二漏极156。

接着请参考图1E，于基板100上形成一保护层160，以覆盖介电层140、第一源极150、第二源极152、第一漏极154与第二漏极156。然后，借助一道光掩膜工艺对保护层160进行图案化，以于保护层160中形成一暴露出第二源极152的第五接触开口C5。

然后请参考图1F，于基板100上沉积铟锡氧化物(ITO)，并填入第五接触开口C5。接着，借助一道光掩膜工艺对铟锡氧化物进行图案化，以形成与第二源极152电性连接的阳极(Anode)170。最后请参考图1G，于基板100上以掩膜(shadowmask)工艺形成有机材料(Organic material)发光层172，并覆盖住阳极170。这里要说明的是，发光层172会因为其所选用的有机发光材料而发出红光、蓝光或绿光。然后再于发光层172上沉积一金属材料，以形成一阴极(Cathode)174。

具体而言，阳极170、发光层172与阴极174便可以构成如图2所示的有机电激发光元件180。此外，图2所示的开关晶体管Ts是由第一栅极130、第一源极150与第一漏极154所构成，而图2所示的驱动晶体管Td是由第二栅极132、第二源极152与第二漏极156所构成。

这里要说明的是，开关晶体管Ts的第一栅极130会与扫描线(Scan line)10电性连接，此扫描线10是于图1B所示的步骤而与第一栅极130与第二栅极132一并定义出的。另外，开关晶体管Ts的第一源极150会与数据线(Data line)20电性连接，此数据线20是在图1D所示的步骤而与第一源极150与第一漏极154一并定义出的。