[发明专利]纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种纳米多晶氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：在100-150℃下进行，具体操作步骤为：

A、将洁净的基材置于反应室中，然后进行抽真空，当真空度达到10^-4Pa时，通氮气于反应室中，在直流偏压为400V的条件下用氮等离子体进行溅射清洗基材硅片30-40分钟；

B、将甲烷气和氮气混合后通入反应室中，工作压强在10-15Pa的条件下开启射频场，提供高能电子，其与通入的气体发生裂解及化学反应，产生含有C和N的等离子体；

C、开启直流偏压，使上述产生的C和N的等离子体加速到达基材，经反应沉积于基材。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在A步骤中，基材选自单晶硅片或不锈钢片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在B步骤中，甲烷气与氮气的体积比为1∶0.8-1.2。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在B步骤中，开启射频场的功率为80-110W。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在C步骤中，直流偏压为150-250V。