[发明专利]一种微流体离心芯片及其加工方法

权利要求书

1.一种微流体离心芯片，包括键合在一起的芯片基质和盖片，在所述芯片基质上设有：

一具有弯曲且连续展开特性的平面曲线线形的微槽道，所述曲线的曲率半径为20微米-1000微米；

至少一个进口，位于微槽道的中心；

至少两个出口，位于微槽道的尾部；

所述具有弯曲且连续展开特性的平面曲线线形为螺旋线形；所述螺旋线形为阿基米德螺旋线；所述阿基米德螺旋线的螺距为5微米-35微米，微槽道宽度为10微米-200微米，深度为10微米-200微米。

2.根据权利要求1所述的微流体离心芯片，其特征在于：所述出口为两个。

3.根据权利要求1所述的微流体离心芯片，其特征在于：所述进口和出口的截面呈喇叭口形。

4.根据权利要求1-3任一所述的微流体离心芯片，其特征在于：所述芯片基质和盖片为硅片和/或玻璃片。

5.权利要求1所述微流体离心芯片的加工方法，包括如下步骤：

1)在芯片基质上下表面上用热氧化法形成一层二氧化硅层，在正面光刻出具有弯曲且连续展开特性的平面曲线线形图形作为后续刻蚀的掩模；

所述具有弯曲且连续展开特性的平面曲线线形为螺旋线形；所述螺旋线形为阿基米德螺旋线；所述阿基米德螺旋线的螺距为5微米-35微米，微槽道宽度为10微米-200微米，深度为10微米-200微米；

2)通过光刻胶保护，单面光刻形成进出口刻蚀的窗口，刻蚀，定义进出口位置；

3)去胶，再次按曲线图形刻蚀，形成槽道；

4)在槽道内壁热氧化二氧化硅层，形成槽道的钝化层；

5)将盖片与芯片基质键合；

6)在芯片基质的下表面淀积碳化硅层，在进口和出口处光刻，并腐蚀形成通孔，即得到所述微流体离心芯片。