[发明专利]多色LED以及有关的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱，还包括Cd(Mg)ZnSe。

2.根据权利要求1的半导体器件，还包括靠近相邻所述第二势阱的吸收层。

3.根据权利要求1的半导体器件，还包括直接相邻所述第二势阱的吸收层。

4.根据权利要求2的半导体器件，其中所述第一势阱具有第一跃迁能，其中所述第二势阱具有第二跃迁能，并且其中所述吸收层具有的吸收层带隙能量小于或等于所述第一跃迁能并且大于所述第二跃迁能。

5.根据权利要求3的半导体器件，其中所述第一势阱具有第一跃迁能，其中所述第二势阱具有第二跃迁能，并且其中所述吸收层具有的吸收层带隙能量小于或等于所述第一跃迁能并且大于所述第二跃迁能。

6.根据权利要求1的半导体器件，还包括不位于pn结内部的第三势阱。

7.根据权利要求6的半导体器件，还包括直接相邻所述第二势阱的第一吸收层以及直接相邻所述第三势阱的第二吸收层。

8.根据权利要求7的半导体器件，其中所述第一势阱具有第一跃迁能，其中所述第二势阱具有第二跃迁能，其中所述第三势阱具有第三跃迁能，其中所述第一吸收层具有的第一吸收层带隙能量小于或等于所述第一跃迁能并且大于所述第二跃迁能，以及其中所述第二吸收层具有的第二吸收层带隙能量小于或等于所述第一跃迁能并且大于所述第三跃迁能。

9.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱。

10.根据权利要求2的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱。

11.根据权利要求3的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱。

12.根据权利要求4的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱。

13.根据权利要求5的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱。

14.根据权利要求6的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱，并且其中所述第三势阱是量子阱。

15.根据权利要求7的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱，并且其中所述第三势阱是量子阱。

16.根据权利要求8的半导体器件，其中所述第一势阱是量子阱，其中所述第二势阱是量子阱，并且其中所述第三势阱是量子阱。

17.根据权利要求1的半导体器件是LED。

18.根据权利要求5的半导体器件是LED。

19.根据权利要求8的半导体器件是LED。

20.根据权利要求16的半导体器件是LED。

21.根据权利要求19的半导体器件，其中所述第一跃迁能对应于绿色、蓝色或紫色波长的可见光，其中所述第二跃迁能对应于黄色、绿色或蓝色波长的可见光，其中所述第三跃迁能对应于红色、橙色或黄色波长的可见光。

22.根据权利要求19的半导体器件，其中所述第一跃迁能对应于蓝色或紫色波长的可见光，其中所述第二跃迁能对应于黄色或绿色波长的可见光，其中所述第三跃迁能对应于红色或橙色波长的可见光。

23.根据权利要求18的半导体器件，其中所述第一跃迁能对应于紫外线波长的光并且其中所述第二跃迁能对应于可见光波长的光。

24.根据权利要求18的半导体器件，其中所述第一跃迁能对应于可见光波长的光并且其中所述第二跃迁能对应于红外波长的光。

25.根据权利要求20的半导体器件，其中所述第一跃迁能对应于绿色、蓝色或紫色波长的可见光，其中所述第二跃迁能对应于黄色、绿色或蓝色波长的可见光，其中所述第三跃迁能对应于红色、橙色或黄色波长的可见光。