[发明专利]激光切割用粘结带

说明书

发明所属技术领域

本发明涉及激光切割用粘结带。

背景技术

以前，提出了一种方案，进行把形成电路图案的半导体晶片切断分割为元件小片的所谓的切割加工时，预先将半导体晶片贴合在放射线固化粘结带并固定后，通过金刚石刀片(旋转球刀)沿着元件形状切断该晶片，从该粘结带的里面照射放射线，如紫外线这样的光或电子线这样的电离性放射线，然后，移动到下一个拾取(pickup)工序。

在这种方式中使用的放射线固化粘结带，是由放射线透过性基材和在该基材上涂布的放射线固化粘结剂层构成的粘结带。该粘结带的特征是在放射线照射前具有强的粘结强度，放射线照射后该粘结强度大幅度降低。因此，采用上述方式，使在切割工序中切断分离为半导体晶片的元件小片变得容易，另外，在放射线照射后的拾取工序中，与元件小片的大小无关，例如即便是25mm²以上的大元件，也可容易地进行拾取的优点。作为这种粘结带，例如有在特开昭60-196956号、特开昭60-201642号、特开昭61-28572号、特开平1-251737号、特开平2-187478号等中公开的产品。

但是，原来的切割装置是边旋转金刚石刀片边切断的方式。因此，切断为1mm以下的非常小的元件时，通过使刀片厚度变得非常薄，使划线宽度变窄，则从1块晶片取出的元件数增多。但是，即使这样，切断宽度为40微米左右以及切断时产生的元件切槽(chipping)(切口)成为很大的问题。由于刀片薄，寿命缩短，且容易损坏，因此运行成本上升。相反，切断厚金属时，需要使刀片的刀刃前端加长，结果刀刃的厚度会增厚到250微米等，但即使这样在维持刀刃的强度方面也有限制。另外，切断玻璃等硬材质时，切断速度变得非常慢，为1～5mm/s。而且，金刚石刀片是旋转球刀，因此切断形状被固定，不能切断为自由形状。

与此相反，近年来，开发出一种利用激光微喷射方式的新加工装置，该方式把缩型喷水和激光器加以组合来切断金属材料。该利用激光器微喷射方式的加工装置，例如可使用SYNOVA公司制作的激光器微喷射仪(商品名)。将该装置用于半导体晶片切割时，得到比原来的使用金刚石刀片的切割更优越的效果。即，通过使用激光器，可期待不产生元件切槽，使用寿命加长，没有刀片破坏引起的品质降低的问题，即便是厚材料，也可划线狭窄的高速切断。

但是，将激光器微喷射方式的装置用于半导体晶片切割时，不一定能充分解决用原来的粘结带产生的上述问题。

发明概述

本发明目的是提供一种激光切割用粘结带，在与喷水一起用激光切割分离(切割)硅晶片、陶瓷、玻璃、金属等时不熔化，并且不断裂，没有元件的飞散，可伸展，在伸展时材料维持平直性。

本发明的上述和其他目的、特征和优点可通过下面的记载变得更加明确。

发明详述

为实现上述目的，本发明人反复进行深入研究的结果发现，通过将透水(喷水)膜用于带的基材可解决上述问题。即，本发明提供：

(1)一种激光切割用粘结带，是一种在激光器为通过喷水引导的激光切割中使用的粘结带，其特征在于，该带的基材透过上述喷水的喷射水流。

(2)(1)中所述的激光切割用粘结带，其特征在于，至少透过50微米宽的水流。

(3)(1)～(2)项中任一项所述的激光切割用粘结带，其特征在于，基材结构是网格状的，并且纤维直径为10微米以上50微米以下。

(4)(1)～(3)项中任一项所述的激光切割用粘结带，其特征在于，基材结构是多孔质的，并且孔径为10微米～50微米。

(5)(1)～(4)项中任一项所述的激光切割用粘结带，其特征在于，基材是橡胶状弹性体。

(6)(1)～(5)项中任一项所述的激光切割用粘结带，其特征在于，一个面是由放射线固化型粘结剂层构成的。

(7)(6)项所述的激光切割用粘结带，其特征在于，在基材和放射线固化型粘结剂层之间具有非放射线固化型粘结剂层来作为中间层。

下面，对本发明的激光切割用粘结带进行详细说明。

本发明的粘结带是在激光器为通过喷水引导的激光切割中使用的粘结带。所谓水微喷射方式，是将喷水作为引导控制激光器的方式。在空中照射激光时，光扩散，但以水为介质时，由于激光边在其中折射边行进，可有效照射激光。

喷水压力优选是30～70MPa，但不限于此，喷水压力过小时，作为激光的引导不充分，有时切断面的品质降低，过大时，冲击到工件(切断物)或带上时的冲击过强，产生抵触(偏差)，仍然会有切断面的品质恶化的情况。