[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1、一种半导体器件，其中：

包括：形成在衬底上的第一氮化物半导体层；由形成在上述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层被氧化后而形成的绝缘氧化层；以及形成在上述绝缘氧化层上的栅电极。

2、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

上述第一氮化物半导体层的氧化速度比上述第二氮化物半导体层的氧化速度小。

3、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

上述第一氮化物半导体层和上述第二氮化物半导体层使用相同的材料。

4、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

上述第一氮化物半导体层中含有铝。

5、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

还包括：形成在上述衬底和上述第一氮化物半导体层之间且由其带隙比上述第一氮化物半导体层的小的第三氮化物半导体形成的能动层。

6、根据权利要求第1项到第5项中任一项所述的半导体器件，其中：

还包括：形成在上述第一氮化物半导体层和上述绝缘氧化层之间且由其氧化速度比上述第二氮化物半导体层的小的第四氮化物半导体形成的氧化防止层。

7、根据权利要求第6项所述的半导体器件，其中：

上述氧化防止层由氮化铝形成。

8、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

还包括：形成在上述绝缘氧化层和上述栅电极之间的绝缘膜。

9、根据权利要求第8项所述的半导体器件，其中：

上述绝缘膜由氧化硅膜或者氮化硅膜构成。

10、根据权利要求第1项所述的半导体器件，其中：

还包括：形成在上述第一氮化物半导体层靠栅电极长度方向一侧的那一区域的源漏电极，且上述绝缘氧化层，在上述栅电极和上述源电极间以及上述栅电极和上述漏电极间这二者中之至少一个中，拥有厚度比上述栅电极下侧的那一部分的厚度还厚的厚膜部分。

11、一种半导体器件的制备方法，其中：

包括：在衬底上形成第一氮化物半导体层的第一道工序；先在上述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层，再将已形成的第二氮化物半导体层氧化，而由上述第二氮化物半导体层形成绝缘氧化层的第二道工序；在上述绝缘氧化层上形成栅电极的第三道工序；及通过选择性地对上述绝缘氧化层靠栅电极长度方向一侧的那一区域进行蚀刻，而在上述绝缘氧化层上形成开口，再在已形成的开口上形成源漏电极的第四道工序。

12、根据权利要求第11项所述的半导体器件的制备方法，其中：

上述第一氮化物半导体层的氧化速度比上述第二氮化物半导体层的氧化速度小。

13、根据权利要求第11项所述的半导体器件的制备方法，其中：

上述第一氮化物半导体层和上述第二氮化物半导体层使用相同的材料。

14、根据权利要求第11项所述的半导体器件的制备方法，其中：

在上述第一道工序之前，还包括：在上述衬底上形成由其带隙比上述第一氮化物半导体层的小的第三氮化物半导体形成的能动层的工序。

15、根据权利要求第11项所述的半导体器件的制备方法，其中：

在上述第一道工序和上述第二道工序之间，还包括：在上述第一氮化物半导体层上形成由其氧化速度比上述第二氮化物半导体层的小的第四氮化物半导体形成的氧化防止层。

16、根据权利要求第15项所述的半导体器件的制备方法，其中：

上述氧化防止层中含有铝。

17、根据权利要求第11项所述的半导体器件的制备方法，其中：

在上述第二道工序和上述第三道工序之间，还包括：在上述绝缘氧化层上形成绝缘膜的工序；且上述第四道工序，包括使上述绝缘膜中形成上述源漏电极的那一区域形成一开口的工序。

18、根据权利要求第17项所述的半导体器件的制备方法，其中：

上述绝缘膜由氧化硅膜或者氮化硅膜构成。