[发明专利]覆铜箔层压板的制造方法

说明书

发明所属的技术领域

本发明涉及覆铜箔层压板的制造方法。

背景技术

以前，作为在多层印刷电路板的内层电路层之间获得层间导通的装置可在内层电路基板上采用作为间隙通孔(interstitial via hole)(IVH)的通孔或作为盲通孔(blind via hole)(BVH)的凹穴等装置。这些层间导通装置能形成印刷电路板的精细电路，并作为高密度封装的装置被广泛使用。

具有这些间隙通孔(IVH)和盲通孔(BVH)等层间导通装置的覆铜箔层压板或印刷电路板是由复合法(build-up process)制造的，其中铜箔多次反复贴到作为芯部材料的印刷电路板外层，最终形成内层电路，从而形成包含多层的铜箔电路层，并将通孔封入基板中。图9显示了制造具有作为间隙通孔(IVH)的通孔和作为盲通孔(BVH)的凹穴的覆铜箔层压板的复合法中外层铜箔的压合法。

从图9可知，作为间隙通孔(IVH)和盲通孔(VH)的通孔和凹穴内部通常呈空洞状态。因此，当用图9所示的方法对通常的附树脂铜箔进行压合时，使外层铜箔层粘附的半固化片树脂会进入孔中而填满空洞。

但是，树脂的热膨胀系数约为金属铜箔的热膨胀系数的10倍。结果，高温压合成形后，使树脂固化的冷却过程中，因为树脂的收缩程度也比基板大，贴到树脂上的铜箔会由于树脂的收缩力而拉到基板内侧。

此外，近年来对形成精细电路的需要导致外层铜箔层的厚度有减小的趋势。外层铜箔拉向基板侧的结果是会使此部位的铜箔形成塌陷，并且覆铜箔层压板的表面不能保持平坦状态。以下将这种状态称为“塌陷不良”(本领域中的技术人员也称该状态为“凹陷(dimple)不良”)。图10显示了实际产生于间隙通孔(IVH)上方的外层铜箔的塌陷不良。

如果外层铜箔部分塌陷，当干膜等抗蚀层形成在外层铜箔层上，并经过曝光、显影的步骤而形成外层电路时，铜箔塌陷部分的抗蚀层和外层铜箔层之间会不能保持良好的紧贴性。如果在浸蚀铜电路时产生这种抗蚀层紧贴不良，该部位的铜箔电路会比目标铜箔电路的电路宽度更细线化，在极端情况下该部位会完全溶解，从而产生断路。也就是说，所形成的间隙通孔(IVH)或盲通孔(BVH)正上方部分的外层铜箔的浸蚀精度会立刻变差，从而大幅降低制品的原材料利用率。

附图简述

图1所示的是附树脂铜箔的截面示意图。图2所示的是用附树脂铜箔热压时层压顺序的示意图。图3所示的是具有树脂层的附载箔铜箔的截面示意图。图4和图5所示的是热压后观察IVH正上方的外层铜箔状态所得的照片。图6所示的是用具有树脂层的附载箔铜箔热压时层压顺序的示意图。图7所示的是用具有树脂层的附载箔铜箔制成的覆铜箔层压板的截面示意图。图8所示的是具有树脂层的附载箔铜箔的截面示意图。图9所示的是用附树脂铜箔热压时层压顺序的示意图。图10所示的是塌陷不良状态的截面示意图。

发明概述

因此，本发明人等认真研究的结果是，通过用复合法将外层铜箔层热压到具有作为间隙通孔(IVH)和盲通孔(BVH)等层间导通装置的通孔或凹穴的内层用基板上制成覆铜箔层压板的方法中，选择作为外层用铜箔的铜箔材料，解决了上述问题。

权利要求1的覆铜箔层压板的制造方法中，用复合法将外层铜箔层热压到具有作为间隙通孔(IVH)和盲通孔(BVH)等层间导通装置的通孔或凹穴的内层用基板上。该覆铜箔层压板的制造方法的特征在于，在前述的内层用基板表面上使用加热后打压试验测得断裂强度为275千牛/米²以上和厚度为15微米以上的铜箔表面上形成有树脂层的附树脂铜箔，在该附树脂铜箔的形成有树脂层的表面与内层用基板表面接触的状态下进行热压，必要时对位于外层的铜箔层进行减厚处理，制成覆铜箔层压板。

热压后树脂冷却时的收缩力会拉伸铜箔，从而形成上述的塌陷，所以考虑使用厚的铜箔，因为它不会由于树脂的收缩力而引起变形。实际上，如果用25微米厚以上的铜箔，就能防止所述塌陷不良的产生，即从而达到发明的目的。但是，由于大多数用前述复合法制造的印刷电路板用于形成细距电路，希望使用厚度薄至10微米以下的铜箔。即使使用25微米厚的铜箔，必要时也要用物理研磨法和化学研磨法除去15微米以上的铜箔层。在本发明的说明书中，用微米单位表示铜箔的厚度，该数值是IPC标准中定义的、由单位面积的相对重量确定的公称厚度，而不是铜箔仪实际测量厚度。