[发明专利]带可编程存储器单元的集成电路无效

专利信息
申请号: 01801390.2 申请日: 2001-03-15
公开(公告)号: CN1381071A 公开(公告)日: 2002-11-20
发明(设计)人: D·M·德里乌;C·M·哈特;G·H·格林克 申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01L51/20;H01L23/525
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明,梁永
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 可编程 存储器 单元 集成电路
【说明书】:

发明涉及与衬底和具有第一可编程存储器单元一起被提供的集成电路,该存储器单元包括导电有机材料,该存储器单元具有不被编程和被编程状态,并且包括第一电极和第二电极。

本发明还涉及包括集成电路和天线的应答机。本发明还涉及包括集成电路的证券纸。

本发明还涉及对集成电路中的存储器进行编程的方法,该存储器包括包括导电的有机材料的第一可编程存储器单元,该存储器单元具有不被编程的和被编程的状态,而且包括第一电极和第二电极。

从WO-A-99/30432中已知这样的集成电路。该已知的集成电路具有一个15位的存储器。该存储器包括一个与15个可编程路径一起提供的代码生成器。采用在二层导电层之间局部提供垂直的相互连接区,“通路(via)”的方式对该存储器进行编程。采用如下的机械方式生成了该通路:用针的一点压紧该层,即利用工具的顶端对相互连接区冲槽。于是该集成电路的一部分被短路。其结果是具有“0”值的位被赋予“1”值,或者反之。在下文中也采用“IC”表示集成电路。该电路用于应答机中,该应答机除该集成电路外还包括一个天线和该集成电路与该天线之间的第一连接。

以机械方式进行编程是已知集成电路的一个缺点。因为是采用压力的方式局部地产生通路,该编程方法需要专门的设备。考虑第一存储器单元相对于设备的定位,所以该方法容易造成损坏。另外,在完成集成电路制造之后,很难对该存储器进行编程;如果需要施加压力,有必要将柔性的集成电路安放在刚性的支撑上。这种固定方式存在于在制造过程中,但是完成制造后就不存在了。

本发明的第一目的是提供一种在开篇段中所述的可以采用一种简单方式进行编程的集成电路。

本发明的第二和第三目的是提供前言所述的一种应答机和一种证券纸,它们的集成电路在完成其制造后可以容易地被编程。

本发明的第四目的是提供前言所述的方法,通过这种方法在该集成电路存储器制造完之后,可以容易地该对存储器编程。

第一目的通过以下方式获得

第一和第二电极在不被编程的情况下由包括有机材料的导电桥相互连接。

所述桥在被编程状态中至少被部分地中断,以及

通过加热该有机材料第一存储器单元是可编程的。

根据本发明的集成电路的编程结果尤其是造成通过第一存储器单元的电导降低,以便第一存储器单元的电读取探测到从“1”到“0”的转变。该电导的降低至少由部分地桥中断所引起。这就是说,在编程之后经过桥的横向到纵向的横截面比起它处于原始状态的要小。另一种情况下,该桥可以被完全中断。在该中断过程期间,桥中的温度将升高到至少是该有机材料的转变温度。

根据本发明的集成电路的一个优点是与已知的集成电路相比它能以快得多的速度进行编程。在几微秒内可以对第一存储器单元进行编程。即使假设对几百个存储器单元进行连续编程,该集成电路仍然可以在一秒到仅几秒的时间内被编程。

可以采用光或者电的方式提供所需的加热能量。最好,采用电的方式对第一存储器进行编程。实际上发明人已经发现掺杂后的导电有机材料具有其电阻率随温度而升高的性质。这样的有机材料最好是由重复单元构成的材料,例如:并五苯、聚苯胺、聚噻吩、聚(3-4-二烷基-2,2’-并噻吩)、聚吡咯、聚对亚苯硫醚、聚亚噻吩基-亚乙烯基(polythienylene-vinylene)、聚亚呋喃基-亚乙烯基(polyfuranyl-vinylene)、聚DOT以及上述单体的共聚物。也可以采用这些材料例如带有烷基、烷氧基、烷基烷氧基、或环状集团的取代产物。

在根据本发明的集成电路的一个实施方案中,存在一个第一晶体管它在编程期间提供跨在第一存储器单元上的电压以便对第一存储器单元进行加热。这里第一晶体管可以作为二极管被连接。第一晶体管最好与第一存储器单元串联,该串联布置存在于第一位线与第一字线之间。第一位线和第一字线都是形成各自形成图案层的部分的电导体轨。任何另外可能存在的位线、字线、以及其它的线诸如一根或多根电源线,也是形成各自形成图案层的部分的电导体轨。对于第一存储器单元的选择编程来说第一晶体管是重要的。如果该存储器是一个带插入串联电路的字线和位线的矩阵,该存储器单元应该是相互独立可编程。第一晶体管给第一存储器单元提供一个输入和一个输出,使电流只可以从一个方向流入。在对第一存储器进行编程时,在第一位线与第一字线之间不可能存在带有在另外晶体管处的另外第一存储器单元的另外串联布置的电流电路。所以可以对第一存储器单元进行独立编程。

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