[实用新型]改良的发光二极管

说明书

本实用新型是一种改良的发光二极管，特指一种以透明或半透明结构为基板制成的发光二极管构造，其中所发出的光线中有较多的光线由发光层的侧壁面射出，以增加发光二极管的侧向光的透光率。

目前一般现有的发光二极管构造的基板分为透明(含半透明)基板及不透明基板二类；下面仅针对透明或半透明的SiC、GaP或GaAs结构的基板与发光层进行研讨

一般现有的透明基板的发光二极管构造，如图1所示，其主要至少包括有基板1，在基板1上覆有一层发光层2，基板1底部与背面电极3相接，以及发光层2顶面与正面电极4相接组合而成。其主要缺陷在于：上述的发光二极管构造的整体型态由侧视剖面图看来是成一四方形，故当于背面电极3与正面电极4有电流通过时，在发光层2会产生亮光发射出来，而在发光层2所产生的光源因其一部份的侧光会射向透明基板1之内，而在基板1的侧壁面上造成全反射现象，无法透出光线，致该现有的发光二极管的光源除向上发射之外，其向侧边发射的仅能有极少部份(约15％的光源)由发光层2侧面射出，而无法达到最佳的发光效果，致该构造实有改良的必要。

针对上述缺陷，本发明人精心研究和实践，并积其从事该项产品的设计与制造多年的经验，终设计出本实用新型的技术方案。

本实用新型的主要目的在于提供一种改良的发光二极管，通过其在磊晶层上所发出的光线，经发光层呈倾斜形状的侧壁面射出，克服现有技术的弊端，达到增加光线的透光率及增加整体发光效果的目的。

本实用新型的目的是这样实现的：一种改良的发光二极管，其至少包括基板、发光层及分别在基板底面与发光层顶面连接的背面电极与正面电极，该基板与发光层是GaN、SiC、GaP、GaAsP或AIGaAs结构的透明或半透明的构件，其特征在于：该基板底面的面积小于发光层顶面的面积，该发光层的侧面是由其顶面向下渐缩而呈倾斜形状。

本实用新型的主要优点是：其于发光层所产生的光线，可有较多的由该发光层的倾斜侧面射出，具有增加发光二极管侧向光的透光效率的功效。

下面结合较佳实施例和附图进一步说明。

图1为现有发光二极管的剖面结构示意图。

图2为本实用新型的剖面结构示意图。

图3为本实用新型实施例2的剖面结构示意图。

图4为本实用新型实施例3的剖面结构示意图。

图5为本实用新型的基板及发光层的第一种组成构造示意图。

图6为本实用新型的基板及发光层的第二种组成构造示意图。

图7为本实用新型的基板及发光层的第三种组成构造示意图。

图8为本实用新型的基板及发光层的第四种组成构造示意图。

图9为本实用新型的基板及发光层的第五种组成构造示意图。

实施例1    

参阅图2所示，本实用新型的改良的发光二极管，其主要构造至少由一基板1、一发光层2及分别在基板1底面与发光层2顶面连接的背面电极3、正面电极4所构成，其中的基板1与发光层2是GaN或SiC、GaP、GaAsP或AIGaAs透明或半透明的结构，其组合型态包括有如图5-图9所示的类型。当由二电极3与4导入电流时，在发光层2产生亮光而向外幅射出。    

本实用新型的主要特征在于：基板1底面的面积小于发光层2顶面21的面积，该发光层2的侧面22是由其顶面21向下渐缩呈倾斜形状。

实施例2    

参阅图3所示，本实用新型的基板1与发光层2的厚度比值，因产品的不同而有改变，上述由发光层2顶面21向下渐缩的倾斜面可延伸至基板1的侧面。具有与实施例1相同的功效。

实施例3

参阅图4，本实施例中，上述由发光层2顶面21向下渐缩的倾斜面可延伸至未到发光层2与基板1接合面的位置。具有与实施例1相同的功效。

使用时，将现有技术的图1与本实用新型的图2-图4进行比较，

其中现有构造的发光层2所产生的幅射光源，仅在发光层2与基板1接合面以上的区域a有光线透出，而低于发光层2与基板1接合面以下的区域b则会产生全反射情况，致无透光效果；

本实用新型则因缩小了基板1的面积，致本实用新型由发光层2所产生的光线可有较大的幅射角度，使较多的光线由该发光层2的倾斜侧面方向射出，即有效的侧光范围包含了在发光层2与基板1接合面以上及以下部分的区域c，以能增加发光二极管侧向光的透光效率约一倍以上。