[实用新型]改良的发光二极管无效
| 申请号： | 01207233.8 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN2476105Y | 公开（公告）日： | 2002-02-06 |
| 发明（设计）人： | 叶寅夫 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改良 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1、一种改良的发光二极管，其至少包括基板、发光层及分别在基板底面与发光层顶面连接的背面电极与正面电极，该基板与发光层是GaN、SiC、GaP、GaAsP或AIGaAs结构的透明或半透明的构件，其特征在于：该基板底面的面积小于发光层顶面的面积，该发光层的侧面是由其顶面向下渐缩而呈倾斜形状。
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