[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在诸过程期间，在一个包括一个CMOS静态型电路的希望电路形成在半导体衬底上直到产品装运之后，

一种第一操作，供给一个预定输入信号，并且检索与它对应的一个第一输出信号；

一种第二操作，给出增大构成CMOS静态型电路的MOSFET的导通电阻值的一种操作条件，并且检索与该条件对应的一个第二输出信号；及

一个测试步骤，通过从第二操作中的第二输出信号变化的第一操作中由第一输出信号确定失效。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，

其中包括CMOS静态型电路的希望电路包括：

一个第一组合电路，用来接收从一个外部终端供给的一个输入信号或来自其他触发电路的输入信号，以形成多个输出信号；

多个第一触发电路，用来接收第一组合电路的多个输出信号；及

一个第二组合电路，用来接收多个第一触发电路的输出信号，

其中多个第一触发电路的每一个包括第一和第二锁存器电路，它进行：一种操作，串联连接在第一操作时的第一和第二锁存器电路，以串行检索与供给到第二组合电路的多个输入信号相对应的输入信号而把他们保持在第二锁存器电路中、和允许第一锁存器检索第一组合电路的一个第一输出信号以串行输出它；和一种操作，检索在第二操作时第一组合电路的一个第二输出信号以串行输出它。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，

其中CMOS静态型电路包括一个用来把反偏压施加到一个其中形成MOSFET的衬底上或施加在一个井区域与一个源极之间的的偏置电路，并且

包括一种增大反偏压使其绝对值大于在正常操作中的值的操作条件，作为一种在第二操作时增大MOSFET的导通电阻值的操作条件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，

其中包括CMOS静态型电路的希望电路包括：

一个第一组合电路，用来接收从一个外部终端供给的一个输入信号或来自其他触发电路的输入信号，以形成多个输出信号；

多个第一触发电路，用来接收第一组合电路的多个输出信号；及

一个第二组合电路，用来接收多个第一触发电路的输出信号，

其中多个第一触发电路的每一个包括第一和第二锁存器电路及一个重合/非重合电路，它进行：一种操作，串联连接在第一操作时的第一和第二锁存器电路，以串行检索与供给到第二组合电路的多个输入信号相对应的输入信号而把他们保持在第二锁存器电路中、和使用在第二操作时的重合和/非重合电路以把一个输出信号输出到一个后级电路，输出信号与重合/非重合相对应，重合/非重合电路的输出信号与串联连接到第一组合电路的一个第二输出信号上的第一触发电路的一个前级电路相对应。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其中在第二操作时增大MOSFET的导通电阻值的一种操作条件包括一种减小电源电压比正常操作低的条件。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件制造方法，其中CMOS静态型电路包括一个用来把反偏压施加到其中形成MOSFET的一个衬底上或施加在井区域与栅极之间的偏置电路，和

在第二操作时增大MOSFET的导通电阻值的一种操作条件包括一种增大反偏压使其绝对值大于在正常操作中的值的条件。

7.根据权利要求4或5所述的半导体器件制造方法，其中在第二操作时停止要供给到第一触发电路的时钟信号。

8.根据权利要求4或5所述的半导体器件制造方法，其中多个第一触发电路由包括第一和第二锁存器电路及一个重合/非重合电路的那些、和不包括重合/非重合电路的那些组成，它进行：一种操作，串联连接在第一操作时的第一和第二锁存器电路，以串行检索与供给到第二组合电路的多个输入信号相对应的输入信号而把他们保持在第二锁存器电路中、在第二操作时使用包括重合和/非重合电路的那些以把一个输出信号输出到一个后级电路，输出信号与重合/非重合相对应，重合/非重合电路的输出信号与串联连接到第一组合电路的一个第二输出信号上的第一触发电路的一个前级电路相对应，及允许不包括重合/非重合电路的那些按原样传输串联连接的第一触发电路的前级电路的一个输出信号。