[发明专利]图像读取装置

说明书

技术领域

本发明是有关图像读取装置，尤其是在将多个光电传感器排列成矩阵状的光电传感器阵列上，使其接触被检测体，读取其图像纹路。

背景技术

过去，作为读取印刷品和照片、或者指纹等细微的凹凸形状的2维图像读取装置，有下述的结构，即检测面设置在将光电转换元件点阵排列而构成的光电传感器阵列上，而将被检测体放置在检测面上，并与其接触，来读取2维图像。

因此，在具有这种被检测体直接接触检测面结构的2维图像读取装置中，被检测体和光电转换元件之间的距离是较短的，通过被检测体所带的静电等，为驱动光电转换元件的驱动电路，通过光电转换元件的布线而会引起误动或损坏，及会引起光电转换元件本身的误动和损坏。

但是，在上述这种以往的2维图像读取装置中，由于没有确定能对被检测体所带的静电进行充分和确实放电的装置的具体的耐压设计，因此，静电耐压是不够的，就有以下问题，即不能确实防止2维图像读取装置的读取误动和损坏。

因此，都在谋求确定具体的结构和形成条件，以便适当地给被检测体所带的静电进行放电，很好地防止2维图像读取装置的读取误动和损坏等。

发明的内容

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种2维图像读取装置，对放置在光电传感器装置上的被检测体所带的静电进行适当放电，可以大幅抑制读取误动和设备损坏。

为达到上述目的本发明采取以下技术方案：

图像读取装置，用于读取被检测体图像的，其特征在于包括：

排列在衬底一侧的多个传感器；

设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；及

为给上述被检测体进行放电，设置在上述绝缘膜上的片电阻为50Ω/以下的导电层。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层由具有光透射性的导电材料组成。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层具有将氧化铟·锡做为主体的材料。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层，通过布线而被接地。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述布线，设定为30Ω以下的布线电阻。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述传感器为光电传感器。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述光电传感器具有：半导体层，其有激励光入射的有效入射区域；分别设置在上述半导体层两端的源极，漏极电极；设置在上述半导体层下方的第1栅极绝缘膜；设置在上述第1栅极绝缘膜下方的第1栅电极；设置在上述半导体层上方的第2栅极绝缘膜；设置在上述第2栅极绝缘膜上方的第2栅电极。 

所述的图像读取装置，其特征在于，具有检测电路，当上述被检测体接触上述导电层时，检测电路检测直流电压的变化和交流信号电压的变化。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层分割为多个。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述被分割为多个的导电层，至少是局部接地的。

图像读取装置，用于读取被检测体图像的，其特征在于包括：

(a)排列在衬底一侧的多个光电传感器，其具有：有激励光入射的有效区域的半导体层；分别设置在上述半导体层两端的源极、漏极；设置在上述半导体层下方的第1栅极绝缘膜；设置在上述第1栅极绝缘膜下方的第1栅电极；设置在上述半导体层上方的第2栅极绝缘膜；及设置在上述第2栅极绝缘膜上方的第2栅极；

(b)设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；

(c)用于对上述被检测体的带电电压进行放电，而被设置在上述绝缘膜上的片电阻为50Ω/以下的导电层；

(d)被连接在上述多个光电传感器的漏电极的漏极驱动器；

(e)被连接在上述多个光电传感器的第1栅电极的第1栅极驱动器；及

(f)被连接在上述多个光电传感器的第2栅电极的第2栅极驱动器。

图像读取装置，用于读取被检测体图像的，其特征在于包括：排列在衬底一侧的多个传感器；

设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；

用于给上述被检测体的带电电压进行放电，设置在上述绝缘膜上的片电阻为50Ω/以下的导电层；及

设置在上述导电层上的缓冲层。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层由具有光透射性的导电材料组成。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层通过布线被接地。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述布线设定为布线电阻在30Ω以下。

所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层分割为多个。