[发明专利]图像读取装置

权利要求书

1、图像读取装置，用于读取被检测体图像的，其特征在于包括：

排列在衬底一侧的多个传感器；

设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；及

为给上述被检测体进行放电，设置在上述绝缘膜上的片电阻为50Ω/以下的导电层。

2、如权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层由具有光透射性的导电材料组成。

3、如权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层具有将氧化铟·锡做为主体的材料。

4、如权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层，通过布线而被接地。

5、如权利要求4所述的图像读取装置，其特征在于，上述布线，设定为30Ω以下的布线电阻。

6、如权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，上述传感器为光电传感器。

7、如权利要求6所述的图像读取装置，其特征在于，上述光电传感器具有：半导体层，其有激励光入射的有效入射区域；分别设置在上述半导体层两端的源极，漏极电极；设置在上述半导体层下方的第1栅极绝缘膜；设置在上述第1栅极绝缘膜下方的第1栅电极；设置在上述半导体层上方的第2栅极绝缘膜；设置在上述第2栅极绝缘膜上方的第2栅电极。

8、如权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，具有检测电路，当上述被检测体接触上述导电层时，检测电路检测直流电压的变化和交流信号电压的变化。

9、如权利要求1所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层分割为多个。

10、如权利要求9所述的图像读取装置，其特征在于，上述被分割为多个的导电层，至少是局部接地的。

11、图像读取装置，用于读取被检测体图像的，其特征在于包括：

(a)排列在衬底一侧的多个光电传感器，其具有：有激励光入射的有效区域的半导体层；分别设置在上述半导体层两端的源极、漏极；设置在上述半导体层下方的第1栅极绝缘膜；设置在上述第1栅极绝缘膜下方的第1栅电极；设置在上述半导体层上方的第2栅极绝缘膜；及设置在上述第2栅极绝缘膜上方的第2栅极；

(b)设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；

(c)用于对上述被检测体的带电电压进行放电，而被设置在上述绝缘膜上的片电阻为50Ω/以下的导电层；

(d)被连接在上述多个光电传感器的漏电极的漏极驱动器；

(e)被连接在上述多个光电传感器的第1栅电极的第1栅极驱动器；及

(f)被连接在上述多个光电传感器的第2栅电极的第2栅极驱动器。

12、图像读取装置，用于读取被检测体图像的，其特征在于包括：排列在衬底一侧的多个传感器；

设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；

用于给上述被检测体的带电电压进行放电，设置在上述绝缘膜上的片电阻为50Ω/以下的导电层；及

设置在上述导电层上的缓冲层。

13、如权利要求12所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层由具有光透射性的导电材料组成。

14、如权利要求12所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层通过布线被接地。

15、如权利要求14所述的图像读取装置，其特征在于，上述布线设定为布线电阻在30Ω以下。

16、如权利要求12所述的图像读取装置，其特征在于，上述导电层分割为多个。

17、如权利要求12所述的图像读取装置，其特征在于，上述传感器具有：半导体层，其有激励光入射的有效区域；分别设置在上述半导体层两端的源极、漏极电极；设置在上述半导体层下方的第1栅极绝缘膜；设置在上述第1栅极绝缘膜下方的第1栅电极；设置在上述半导体层上方的第2栅极绝缘膜；及设置在上述第2栅极绝缘膜上方的第2栅电极。

18、如权利要求12所述的图像读取装置，其特征在于还具有：检测电路，用于检测当被检测体接触上述导电层时的直流电压的变化或交流信号电压的变化。

19、如权利要求12所述的图像读取装置，其特征在于，上述缓冲层，具有由真性非晶质硅、含有不纯物质的非晶质硅、氮化硅、氧化硅、金刚石、绝缘高分子或者导电高分子选择的材料。