[发明专利]半导体器件的制造方法有效
申请号: | 01124761.4 | 申请日: | 2001-08-03 |
公开(公告)号: | CN1337737A | 公开(公告)日: | 2002-02-27 |
发明(设计)人: | 池谷浩司 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法,特别是涉及用去引线缩小封装外形减少安装面积,能够大幅度降低成本的半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体器件的制造中,进行以下的工艺,把从晶片切割分离了的半导体芯片固定在引线框上,通过由模具和树脂注入进行的传递模塑把固定在引线框上的半导体芯片密封,把被密封了的半导体芯片分离为一个个半导体器件。该引线框使用矩形或者环形的框,在每一种情况下都是在一次密封工艺中同时密封多个半导体器件。
图15示出形成在晶片上的半导体芯片的检查工艺。在该工艺中,判断形成在晶片上的一个个半导体芯片1的优良与不良。首先,进行晶片的位置确认,探针的针14被送出芯片尺寸的距离,接触各个半导体芯片1的电极焊盘。而且,在该状态下,预先从输入电极焊盘输入被程序化了的输入信号波形,从输出端子输出一定的信号波形,测试器读取该信号进行优良、不良的判断。这里,被判断为不良的半导体芯片1被打印标记,在把半导体芯片1固定在引线框上的时候,确认用照相机识别该打印标记去除不良的半导体芯片1。
图16示出传递模塑工艺。在传递模塑工艺中,把通过塑模粘合,线粘合固定了半导体芯片1的引线框2设置在由上下模具3A、3B形成的空腔4的内部,通过在空腔4内注入环氧树脂,进行半导体芯片1的密封。在这样的传递模塑工艺以后,把引线框2按照各个半导体芯片1切断,制造单独的半导体器件(例如特开平05-129473号)。
这时,如图17所示,在模具3B的表面设置多个空腔4a~4f,用于输入树脂的树脂源5,横浇口6以及用于从横浇口6向各个空腔4a~4f流入树脂的浇口7。这些全部是设置在模具3B表面上的槽。如果是长方形的引线框,则在一个引线框上例如搭载10个半导体芯片1,对应于一个引线框,设置10个空腔4和10个浇口7以及1个横浇口6。而且,在模具3表面上例如设置与20个引线框相当的空腔4。
图18示出通过上述的传递模塑制造的半导体器件。形成了晶体管等元件的半导体芯片1在引线框的岛8上由焊锡等焊料9固定安装,用线11连接半导体芯片1的电极焊盘与引线10。半导体芯片1的周边部分由与上述空腔形状一致的树脂12覆盖,在树脂12的外部导出引线端子10的前端部分。
其次,形成在晶片上的半导体芯片1通过上述制造方法形成在各个半导体器件上,这些半导体器件的电特性(hfe等级差)用测试器进行测定,判断。这时,如在图15中所说明的那样,对在晶片检查工艺中的晶片状态下不能够正确地测定的项目或者对照产品规格以更严格的测定项目进行检查。而且,在该半导体器件的电特性的测定、判断工艺中,使所有的半导体器件沿一定的方向聚齐,检查每一个半导体器件。在该工艺以后,判断为优良品的半导体器件捆扎后出厂。
在以往的通过传递模塑制造单独的半导体器件的方法中,由于在传递模塑后分离为各个半导体器件而比较杂乱,因此使各个半导体器件沿一定的方向聚齐个别地进行电特性(hfe等级差)的测定。然后,根据判断结果分开半导体器件的不同特性以后按照不同特性捆扎,因此具有要求过多的时间和工艺的缺点。
另外,在通过半导体器件的电特性的测定、判断工艺判断了电特性的半导体器件不是按照一次hfe等级进行分类而是直接捆扎的情况下,必须准备多条捆扎线。因此,存在不能够简单地形成捆扎装置,过多地占用作业空间的缺点,以及把优良品的半导体器件判断为多等级方面存在界限这样的缺点。
发明内容
本发明是鉴于以上的问题而产生的,其目的在于,提供一种半导体器件的制造方法,可以克服以上缺点。本发明的特征在于在具有多个搭载部分的基板的该搭载部分的每一个上固定半导体芯片,用共同的树脂层把搭载在上述各搭载部分的上述半导体芯片的每一个覆盖了以后,使上述基板与上述树脂层搭接粘贴在粘合片上,在粘贴在上述粘合片上的状态下进行切割以及测定,由此不分离为单独的半导体器件而在用粘合片支撑为一体的状态下进行测定。
另外,在本发明中,特征在于在具有多个搭载部分的基板的该搭载部分的每一个上固定半导体芯片,用共同的树脂层把固定在上述各搭载部分的上述半导体芯片的每一个覆盖了以后,使上述基板与上述树脂层搭接粘贴在粘合片上,在粘贴在上述粘合片的状态下进行切割以及测定,进而,把粘贴在上述粘合片上的半导体器件直接收容在承载带上,由此直到收容在承载带上之前不分离为单独的半导体器件而可以在用粘合片支撑为一体状态下进行作业。
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