[发明专利]制作电绝缘层的方法

权利要求书

1.一种制作电绝缘层的方法，其特征在于，至少包括：

提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；

形成一硅层于所述底材上；

形成一氮化物层于所述硅层上；

蚀刻部分所述氮化物层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；

形成一四氧乙基硅层于所述渠沟内与所述氮化物层上，并填满所述渠沟以形成一电绝缘层；

进行一蚀刻制程并设定所述四氧乙基硅层的一被蚀刻速率高于所述氮化物层的一被蚀刻速率以蚀刻部分的所述四氧乙基硅层；

设定所述氮化物层的所述被蚀刻速率高于所述四氧乙基硅层的所述被蚀刻速率；及

移除所述氮化物层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氮化物层为一氮化硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电绝缘层的一材质为一臭氧与一四氧乙基硅的混合物。

4.一种制作电绝缘层的方法，其特征在于，至少包括：

提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；

形成一硅层于所述底材上；

形成一氮化物层于所述硅层上；

形成一氮氧化物层于所述氮化物层上；

蚀刻部分所述氮氧化物层、部分所述氮化物层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；

形成一氧化物层于所述渠沟内与所述氮氧化物层上，并填满所述渠沟以形成一电绝缘层，其中，所述氧化物层的一材质至少包括一四氧乙基硅；

进行一蚀刻制程并设定一氧化物的一被蚀刻速率高于一氮化物的一被蚀刻速率以蚀刻部分的所述氧化物层；

设定所述氮化物的所述被蚀刻速率高于所述氧化物的所述被蚀刻速率；

移除所述氮氧化物层；及

移除所述氮化物层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的氮化物层为一氮化硅层。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的氧化物层的一材质为一臭氧与一四氧乙基硅的混合物。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的硅层的一材质为多晶硅。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的氮氧化物层的一材质为氮氧化硅。

9.一种制作电绝缘层的方法，其特征在于，至少包括：

提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；

形成一硅层于所述底材上；

形成一氮化硅层于所述硅层上；

形成一氮氧化硅层于所述氮化硅层上；

蚀刻部分所述氮氧化硅层、部分所述氮化硅层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；

形成一氧化物层于所述渠沟内与所述氮氧化硅层上，并填满所述渠沟以形成一电绝缘层，其中，所述氧化物层的一材质至少包括一四氧乙基硅；

进行一蚀刻制程并设定一氧化物的一被蚀刻速率高于一氮化物的一被蚀刻速率以蚀刻部分的所述氧化物层；

设定所述氮化物的所述被蚀刻速率高于所述氧化物的所述被蚀刻速率以去除在所述氮氧化硅层上的所述氧化物层；

移除所述氮氧化硅层；及

移除所述氮化硅层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的氧化物层的一材质为至少包括一臭氧与一四氧乙基硅的混合物。