[发明专利]化学气相沉积的排气处理回收的方法及装置

权利要求书

1.一种CVD排气的处理回收方法，该方法适用于使用氢卤化硅气体形成的硅薄膜对由化学气相沉积装置所排出气体的处理，其特征在于该方法包括：

对该排气中含有的未反应的原料气体与中间产物，使用过渡金属反应剂在常温至摄氏500度之间进行热脱附，经分解处理或转化反应处理分解一部分之后，对该氢卤化硅气体与氯化氢气体进行分离回收。

2.如权利要求1所述的CVD排气的处理回收方法，其中该转化反应处理是加热至摄氏400度以上再与铁反应剂接触。

3.如权利要求1所述的CVD排气的处理回收方法，其中还包括对进行该转化反应处理后的排气精馏之后，再分离该氢卤化硅气体与该氯化氢气体。

4.一种CVD排气的处理回收方法，是适用于使用氢卤化硅气体形成硅薄膜对由化学气相沉积装置排出的气体进行处理的方法，其特征在于该方法包括：

对该排气中含有的未反应的原料气体与中间产物，使用过渡金属反应剂在常温至摄氏500度之间进行热脱附，经完全分解处理之后，对分解产物的氯化氢气体进行回收。

5.一种CVD排气的处理回收装置，是适用于使用氢卤化硅气体形成硅薄膜对由一化学气相沉积装置排出的气体进行处理的方法，其特征在于该装置包括：

为使含有未反应的原料气体与中间产物的该排气的部分分解，使用过渡金属反应剂在常温至摄氏500度之间进行热脱附的分解反应设备；

将来自该分解反应设备所排出的气体分离出该氢卤化硅气体与氯化氢气体的分离设备；

将由该分离设备所分离的该氯化氢气体与水接触的气液接触设备；以及

对该氢卤化硅气体再使用的气体回收设备。

6.一种CVD排气的处理回收装置，是适用于使用氢卤化硅气体形成硅薄膜对由一化学气相沉积装置排出的气体进行处理的方法，其特征在于该装置包括：

为使含有未反应的原料气体与中间产物的该排气完全分解成氯化氢气体，使用过渡金属反应剂在常温至摄氏500度之间进行热脱附的分解反应设备；以及

将来自该分解反应设备所排出的该氯化氢气体与水接触的气液接触设备。