[发明专利]信息记录媒体及其制造方法

说明书

本发明涉及可以光学方式进行信息的记录、擦除、改写和重放的信息记录媒体制造方法。

相变化型记录媒体利用在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态的记录层进行信息的记录、擦除和改写。当在对该记录层照射高功率的激光束之后进行快速冷却时，被照射的部分变成非结晶相而形成记录标记。当在对记录层的非晶态部分照射低功率激光束时之后使其缓慢冷却时，已照射的部分变成结晶相，记录标记被擦除。因此，在相变化型信息记录媒体中，通过对记录层照射已在高功率和低功率之间进行了功率调制的激光束，可以在擦除旧信息的同时改写为新信息。

在改写信息时，伴随结晶相-非结晶相的相变态，原子在记录层内移动。结果，在现有的信息记录媒体中，当反复进行改写时，产生局部原子的偏离，使记录层的厚度变动，引起信号品质下降。记录密度愈高，这样的重复改写性能的下降越厉害。这是因为，当记录密度提高时，相邻记录标记之间的间隔便窄，容易受到相邻记录标记的原子偏离的影响。

为了防止重复改写性能的下降，有必要使记录层的厚度变薄来抑制原子的移动。此外，使记录层的厚度变薄也是为了实现具备2个记录层的高密度信息记录媒体必要的技术。但是，当记录层的厚度变薄时，因原子移动困难，故记录层的结晶速度下降。若结晶速度降低，对于必须在短时间内记录小的记录标记的高密度信息记录媒体，信号品质就会降低。此外，若结晶速度降低，则容易使结晶灵敏度和擦除率随着时间的推移而下降。即，越是高密度记录，越难做到既能提高重复改写性能又能抑制结晶灵敏度随时间的下降。

为了提高重复改写性能，已公开了包含Te、Ge、Sn和Sb的记录层(特开平2-147289)。

但是，虽然上述现有的记录层已表现出高的结晶速度，但高密度记录中的重复改写性能和结晶灵敏度的长期稳定性还不十分理想。

为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种信息记录媒体及其制造方法，可以进行高密度记录，重复改写性能优良，结晶灵敏度随着时间的推移而下降的现象很少。

为了达到上述目的，本发明的信息记录媒体是具有在基板和基板的上方配置了的记录层的信息记录媒体，其特征在于：上述记录层的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1个元素M以及Ge、Sb、Te、Sn，而且是通过照射能量束可以引起结晶相和非结晶相之间的可逆的相变态的层。在此，所谓「构成元素」，指的是在体现出它包含的物质的一种特性方面不可缺少的元素。上述记录层从本质上说，最好由Ge、Sb、Te、Sn和至少一种元素M构成。若按照上述信息记录媒体，能得到可以进行高密度记录、重复改写性能优良、结晶灵敏度随着时间的推移而下降的现象很少的信息记录媒体。

在上述信息记录媒体中，上述记录层可以由组成式[(Ge,Sn)_ASb₂Te_3+A]_100-BM_B(这里，0＜A≤10、0＜B≤20)表示的材料形成。通过使A≤10，可以防止重复改写性能的下降。通过使B≤20，可以防止结晶灵敏度随着时间的推移而下降。

在上述信息记录媒体中，上述记录层中的Sn的原子含量可以是在2％以上和20％以下。通过使Sn的原子含量在2％以上，可以使结晶速度充分快。通过使Sn的原子含量在20％以下，可以在记录层是结晶相时的反射光量与记录层是非结晶相时的反射光量的比值变大。

在上述信息记录媒体中，上述记录层的厚度可以在5nm以上至15nm以下。通过使记录层的厚度在5nm以上，可以使记录层容易成为结晶相。通过使记录层的厚度在15nm以下，可以防止重复改写性能的降低。

在上述信息记录媒体中，进而具有第1保护层、第2保护层和反射层，可以按上述第1保护层、上述记录层、上述第2保护层、上述反射层的顺序在上述基板上形成。这时，可以进而具有界面层，该界面层配置在从上述第1保护层和上述记录层之间的位置及上述第2保护层和上述记录层之间的位置中选出的1个位置上。进而，可以具有配置在上述第2保护层和上述反射层之间的光吸收校正层。

在上述信息记录媒体中，进而具有第1保护层、第2保护层和反射层，可以按顺序在上述基板上形成上述反射层、上述第2保护层、上述记录层和上述第1保护层。若按照该构成，可以得到可以进行高密度记录的信息记录媒体。这时，可以进而具有界面层，该界面层配置在从上述第1保护层和上述记录层之间的位置及上述第2保护层和上述记录层之间的位置中选出的1个位置上。进而，可以具有配置在上述反射层和上述第2保护层之间的光吸收校正层。