[发明专利]信息记录媒体及其制造方法有效
申请号: | 01111350.2 | 申请日: | 2001-03-12 |
公开(公告)号: | CN1313592A | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
发明(设计)人: | 児岛理惠;山田升;西原孝史 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 媒体 及其 制造 方法 | ||
1.一种信息记录媒体,具有在基板和基板的上方配置的记录层,其特征在于:上述记录层的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1种元素M以及Ge、Sb、Te、Sn,而且,通过照射能量束,在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态。
2.如权利要求1记载的信息记录媒体,其特征在于:上述记录层可以由组成式[(Ge,Sn)ASb2Te3+A]100-BMB(这里,0<A≤10、0<B≤20)表示的材料形成。
3.如权利要求2记载的信息记录媒体,其特征在于:上述记录层中的Sn的原子含量在2%以上至20%以下。
4.如权利要求1记载的信息记录媒体,其特征在于:上述记录层的厚度在5nm以上至15nm以下。
5.如权利要求1记载的信息记录媒体,其特征在于:进而具有第1保护层、第2保护层和反射层,可以按上述第1保护层、上述记录层、上述第2保护层、上述反射层的顺序在上述基板上形成。
6.如权利要求5记载的信息记录媒体,其特征在于:进而具有界面层,该界面层配置在从上述第1保护层和上述记录层之间的位置及上述第2保护层和上述记录层之间的位置中选出的1个位置上。
7.如权利要求5记载的信息记录媒体,其特征在于:进而具有配置在上述第2保护层和上述反射层之间的光吸收校正层。
8.如权利要求1记载的信息记录媒体,其特征在于:进而具有第1保护层、第2保护层和反射层,按下述顺序在上述基板上形成上述反射层、上述第2保护层、上述记录层和上述第1保护层。
9.如权利要求8记载的信息记录媒体,其特征在于:进而具有界面层,该界面层配置在从上述第1保护层和上述记录层之间的位置及上述第2保护层和上述记录层之间的位置中选出的1个位置上。
10.如权利要求8记载的信息记录媒体,其特征在于:进而具有配置在上述反射层和上述第2保护层之间的光吸收校正层。
11.一种信息记录媒体的制造方法,该方法是具有在基板和上述基板的上方配置的记录层的信息记录媒体的制造方法,其特征在于:
包含用气相成膜法形成上述记录层的工序,
上述记录层的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1种元素以及Ge、Sb、Te、Sn,而且,通过照射能量束,在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态。
12.如权利要求11记载的信息记录媒体的制造方法,其特征在于:上述气相成膜法是从真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、化学蒸镀法和分子线外延生长法中选出的至少1种方法。
13.如权利要求11记载的信息记录媒体的制造方法,其特征在于:上述气相成膜法是使用了包含从氮气和氧气中选出的至少一种气体和从氩气和氪气中选出的至少一种稀有气体的气体的溅射法。
14.如权利要求11记载的信息记录媒体的制造方法,其特征在于:上述记录层以0.5nm/秒以上至5nm/秒以下的成膜速度进行成膜。
15.如权利要求11记载的信息记录媒体的制造方法,其特征在于:上述记录层的厚度在5nm以上至15nm以下。
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