[发明专利]基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制

权利要求书

1.一种形成双层半导体膜的方法，包括：

在扩散工序中，在底层衬底上设置多晶硅层，该扩散工序是在基本上避免多晶硅结晶的第一温度下进行的；

将多晶硅层的温度升高到第二温度；

用第一冲洗材料冲洗多晶硅层以提供过渡层；

用第二冲洗材料冲洗多晶硅层，以便在多晶硅层上提供第二材料层，过渡层提供第二材料层和多晶硅层之间的粘附性；

提供第一冲洗材料和第二冲洗材料的结合，以便在过渡层上淀积体第二材料层；

用第二冲洗材料冲洗体第二材料层以便除去杂质；

用第一冲洗材料冲洗体第二材料层，用以减小多晶硅层和第二材料层之间的应力。

2.根据权利要求1的方法，其中限制用第一冲洗材料冲洗体第二材料层的持续时间，使得基本上避免底层多晶硅层的异常生长。

3.根据权利要求1的方法，其中限制用第一冲洗材料冲洗体第二材料层的冲洗浓度，使得基本上避免底层多晶硅层的异常生长。

4.根据权利要求1的方法，其中第一温度等于或小于530摄氏度。

5.根据权利要求1的方法，其中第二温度等于或大于620摄氏度。

6.根据权利要求1的方法，其中将第二温度升高到高于620摄氏度的水平，以减小得到的双层半导体膜的电阻率。

7.根据权利要求1的方法，还包括下述设置多晶硅层，预清洗多晶硅层的步骤。

8.根据权利要求1的方法，其中在大气压力下进行多晶硅层的设置。

9.根据权利要求1的方法，其中第二材料层包括硅化钨WSi_X。

10.根据权利要求1的方法，还包括下述用第二冲洗材料冲洗多晶硅层，提供第二材料层的晶核形成以减小第二材料层的粒径。

11.根据权利要求1的方法，还包括下述用第二冲洗材料冲洗体第二材料层，提供体第二材料层的晶核形成以减小体第二材料层上部的粒径。

12.根据权利要求1的方法，其中第一冲洗材料包括硅烷SiH₄，第二冲洗材料包括二氯甲硅烷(DCS)SiH₂Cl₂和氟化钨WF₆。

13.一种形成双层半导体膜的方法，包括：

在第一温度，在底层衬底上提供多晶硅层；

将多晶硅层的温度升高到第二温度；

用第一冲洗材料冲洗多晶硅层以提供过渡层；

用第二冲洗材料冲洗多晶硅层，以便在多晶硅层上提供第二材料层，过渡层提供第二材料层和多晶硅层之间的粘附性；

提供第一冲洗材料和第二冲洗材料的结合，以便在过渡层上淀积体第二材料层；

用第二冲洗材料冲洗体第二材料层以便除去杂质；

用第一冲洗材料冲洗体第二材料层，用以减小多晶硅层和第二材料层之间的应力，限制第一冲洗材料的暴露，使得基本上避免底层多晶硅层的异常生长。

14.根据权利要求13的方法，其中设置多晶硅层是在扩散工序中进行的，该扩散工序是在基本上避免多晶硅结晶的第一温度进行的。

15.根据权利要求13的方法，其中限制第一冲洗材料的暴露时间，以基本上避免底层多晶硅层的异常生长。

16.根据权利要求14的方法，其中限制第一冲洗材料的暴露浓度，以基本上避免底层多晶硅层的异常生长。

17.根据权利要求14的方法，其中第一温度等于或小于530摄氏度。

18.根据权利要求14的方法，其中第二温度等于或大于620摄氏度。

19.根据权利要求14的方法，其中将第二温度升高到高于620摄氏度的水平，以减小得到的双层半导体膜的电阻率。

20.根据权利要求14的方法，还包括下述设置多晶硅层，预冲洗多晶硅层的步骤。

21.根据权利要求14的方法，其中在大气压力下进行多晶硅层的设置。

22.根据权利要求14的方法，其中第二材料层包括硅化钨WSi_X。