[发明专利]受光器件阵列和受光器件阵列芯片无效
申请号: | 00802271.2 | 申请日: | 2000-10-11 |
公开(公告)号: | CN1327617A | 公开(公告)日: | 2001-12-19 |
发明(设计)人: | 驹场信幸;田上高志;楠田幸久;有马靖智 | 申请(专利权)人: | 日本板硝子株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/105 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 阵列 芯片 | ||
1.一种把多个由pin光电二极管构成的受光器件排列起来的受光器件阵列,其特征是:
上述pin光电二极管,具备:
n型半导体衬底,
在上述n型半导体衬底上层叠的n型半导体层、i型半导体层、p型半导体层,上述p型半导体层和上述i型半导体层,用相邻的p型半导体层和i型半导体层和隔离沟隔离开来,
在上述p型半导体层上设置的p型电极,以及
在上述n型半导体衬底的背面上设置的共通的n型电极。
2.一种把多个由pin光电二极管构成的受光器件排列起来的受光器件阵列,其特征是:
上述pin光电二极管,具备:
半绝缘性衬底,
在上述半绝缘性衬底上叠层的n型半导体层、i型半导体层、p型半导体层,上述p型半导体层和上述i型半导体层,用相邻的p型半导体层和i型半导体层和隔离沟隔离开来,
在上述p型半导体层上设置的p型电极,以及
在上述隔离沟的底部即上述n型半导体上设置的每一个受光器件的n型电极。
3.权利要求1或2所述的受光器件阵列,其特征是:上述隔离沟用半绝缘性的半导体材料或未掺杂半导体材料填埋起来。
4.一种在同一芯片上把多个受光器件排列起来的受光器件阵列芯片,其特征是具备:
把台面式的受光器件直线状地排列起来的受光器件阵列;
把上述受光器件阵列的受光器件连接成矩阵状的多条布线;以及
连接到上述布线上的多个键合焊盘。
5.一种在同一芯片上把多个受光器件排列起来的受光器件阵列芯片,其特征是具备:
把台面式的受光器件直线状地排列起来的受光器件阵列;
把每一组规定个数的受光器件归纳成一块,共通地连接到块内的各个受光器件的一个电极上的、每一块的第1键合焊盘;
把上述受光器件阵列的受光器件隔以上述规定的个数进行归纳,共通地连接到各个受光器件的另一个电极上的、与上述规定个数相同的第2键合焊盘。
6.权利要求4或5所述的受光器件阵列,其特征是:上述台面式的受光器件由pin光电二极管构成。
7.权利要求5所述的受光器件阵列,其特征是:仅仅在上述第1键合焊盘和上述第2键合焊盘为ON时,只有连接到这些第1和第2键合焊盘上的受光器件可以动作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的