[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，以氧化铟为主体，其特征在于以6价元素X为掺杂元素，X的掺入量为总重量的3-5％，这里X为钼或钨。

2.如权利要求1的透明导电薄膜的制备方法，以玻璃为基板，其特征在于用真空镀膜法，先在基板上镀一层氧化铟薄膜作为防扩散阻挡层，其厚度为30-50nm，然后掺杂，控制掺杂元素X的掺入量为总重量的3-5％，制得透明导电薄膜In₂O₃：X，这里X为M₀或W，其中沉积速率和薄膜的厚度采用光干涉法在线实时监控。

3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于采用真空反应蒸发法，具体步骤如下：

(1)对真空室排气，使压强低于1×10^-2Pa，同时对玻璃基板加热至200℃-400℃；

(2)将氧气通入真空窒，控制氧分压强在1.3×10^-1～7×10^-2Pa范围；

(3)开始加热蒸发铟，在基板上形成In₂O₃薄膜，作为防扩散阻挡层，当其厚度达到30～50nm时，开始同时蒸发XO₃，进行掺杂，控制XO₃的掺入量，形成In₂O₃：X透明导电薄膜。

4.根据权利要求2所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于采用真空反应磁控溅射法，其工艺条件如下：

玻璃基板温度：180℃-350℃；

溅射室中氧分压强：3×10^-2Pa～5×10^-2Pa；

氧气流量：0.2-1.0sccm/sec；

放电电压：250V-400V；

制膜后的退火条件：温度180℃-220℃，时间50-80分钟。