[发明专利]具有薄膜晶体管的器件

权利要求书

1.一种具有至少一个薄膜晶体管的器件，所述薄膜晶体管包括：

在一个绝缘表面上的含硅半导体膜；

在所述半导体膜中的一对具有一种导电类型的杂质区；和

至少一个含金属材料的部分，所述含金属材料直接加到所述半导体膜中，该部分至少形成在所述一对杂质区的一个中，

其中所述含金属材料选自以下一组材料：B、Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、镧系元素、C、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、N、P、As、Sb、Bi、V、Nb、Zn和Ta。

2.如权利要求1的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管与一个有源矩阵液晶显示器的象素电极连接。

3.如权利要求1的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管构成一个有源矩阵液晶显示器件的驱动电路。

4.如权利要求1的器件，其特征在于，该器件是一个图象感测器。

5.如权利要求1的器件，其特征在于，所述含金属材料的浓度是2×10¹⁷至2×10¹⁹原子/cm³。

6.一种具有至少一个薄膜晶体管的器件，所述薄膜晶体管包括：

在一个绝缘表面上的含硅半导体膜；

在所述半导体膜中的一对具有一种导电类型的杂质区；和

至少一个含锗材料的部分，所述含锗材料直接加到所述半导体膜中，该部分至少形成在所述一对杂质区的一个中。

7.如权利要求6的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管与一个有源矩阵液晶显示器的象素电极连接。

8.如权利要6的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管构成一个有源矩阵液晶显示器件的驱动电路。

9.如权利要求6的器件，其特征在于，该器件是一个图象感测器。

10.如权利要求6的器件，其特征在于，所述含锗材料的浓度是2×10¹⁷至2×10¹⁹原子/cm³。

11.一种具有至少一个薄膜晶体管的器件，所述薄膜晶体管包括：

在一个绝缘表面上的含硅半导体膜；

在所述半导体膜中的一对具有一种导电类型的杂质区；

至少一个含金属材料的部分，所述含金属材料直接加到所述半导体膜中，该部分至少形成在所述一对杂质区的一个中；和

一条导线，与所述一对杂质区至少之一电连接，

其中所述含金属材料选自以下一组材料：B、Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、镧系元素、C、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、N、P、As、Sb、Bi、V、Nb、Zn和Ta。

12.如权利要求11的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管与一个有源矩阵液晶显示器的象素电极连接。

13.如权利要求11的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管构成一个有源矩阵液晶显示器件的驱动电路。

14.如权利要求11的器件，其特征在于，该器件是一个图象感测器。

15.如权利要求11的器件，其特征在于，所述含金属材料的浓度是2×10¹⁷至2×10¹⁹原子/cm³。

16.一种具有至少一个薄膜晶体管的器件，所述薄膜晶体管包括：

在一个绝缘表面上的含硅半导体膜；

在所述半导体膜中的一对具有一种导电类型的杂质区；和

至少一个含锗材料的部分，所述含锗材料直接加到所述半导体膜中，该部分至少形成在所述一对杂质区的一个中；和

一条导线，与所述一对杂质区至少之一电连接。

17.如权利要求16的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管与一个有源矩阵液晶显示器的象素电极连接。

18.如权利要求16的器件，其特征在于，所述薄膜晶体管构成一个有源矩阵液晶显示器件的驱动电路。

19.如权利要求16的器件，其特征在于，该器件是一个图象感测器。