专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种原子层沉积技术生长Vx-CN202011326464.3有效
  • 杜立永;何冬梅;丁玉强 - 江南大学
  • 2020-11-24 - 2021-10-22 - C23C16/455
  • 本发明公开了一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法,属于纳米材料领域,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气化后的三异丙氧基氧化钒,进行沉积,得到沉积有V源的衬底,吹扫后再以脉冲形式通入气相碳源,与沉积在衬底上的V源进行单原子反应,得到单原子层的VxC纳米材料,再次进行吹扫,之后循环上述步骤1~2000次,即可制备得到原子层沉积技术生长VxC纳米材料,其中,所述碳源为乙醚、丙醚、丁醚、或四氢呋喃的一种。本发明采用三异丙氧基氧化钒与碳源组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中,使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好的含VxC沉积层。
  • 一种原子沉积技术生长basesub

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