专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]规矩置入设备-CN200780032440.3有效
  • B·嘉义;U·布吕维勒;B·马尔科维奇 - 吉茨公司
  • 2007-08-30 - 2009-08-19 - B65H9/10
  • 一种用于单张纸压凸印刷机的规矩置入设备,具有位置传感器(S1S2、S3),所述位置传感器用以检测纸张(5)的印刷标记(P1P2、P3),包括能作为给纸台向下枢转的规矩板(15),其具有通往吸气装置(22)的通风口(20)和真空供给管(21)以及能下降的前挡纸规(12);在X方向和Y方向上定位规矩板的致动器(L1、L2、L3)。之后,利用位置传感器检测纸张上的印刷标记(P1P2、P3)的位置,由此计算规矩校正值(X1、X2、Y3),规矩板借助于X方向上的致动器(L1、L2)和Y方向上的致动器(L3)移入设定位置(P1SP2SP3S)。
  • 规矩置入设备
  • [发明专利]化合物半导体器件-CN201080050469.6无效
  • 足立真宽;德山慎司;片山浩二 - 住友电气工业株式会社
  • 2010-10-25 - 2012-09-19 - H01L33/36
  • 所述化合物半导体器件包含:包含六方晶系化合物半导体GaN且具有表面S1S2的n衬底3;形成在所述n衬底3的所述表面S1上的n电极13;具有形成在所述n衬底3的所述表面S2上的n覆盖层5、有源层7、p覆盖层9和接触层11的层叠体;和形成在所述p覆盖层9上的p电极15。在所述n衬底3的所述表面S1上包含的N原子的数目大于在所述表面S1上包含的Ga原子的数目。在所述表面S1上形成的电极为n电极13。所述表面S1的氧浓度为5原子%以下。在所述接触层11的所述表面S3上包含的Ga原子的数目大于在所述表面S3上包含的N原子的数目。在所述表面S3上形成的电极为p电极15。所述表面S3的氧浓度为5原子%以下。
  • 化合物半导体器件
  • [发明专利]在周围环境模型中的行驶过程预估-CN202210177474.8在审
  • K·拉科 - 康蒂-特米克微电子有限公司
  • 2022-02-25 - 2022-09-20 - B60W40/02
  • 本发明涉及一种用于建立道路模型的方法,所述方法用于规划本车轨迹,所述方法具有以下步骤:借助至少一个周围环境采集传感器采集(S1)车辆周围环境;在车辆周围环境中识别(S2)目标物体;生成(S3)具有多个网格单元格(1a、1b)的网格图(1);在网格图(1)中输入(S4)识别结果,其中,在输入前放大(V)识别结果;确定(S5)穿过网格图(1)的、仅由未占用网格单元格(1a)组成的至少一个路径(P1P2);逐步扫描(S6)至少一个路径(P1P2),其中,在与路径(P1P2)扫描方向正交的两侧确定出识别结果;将沿至少一个路径(P1P2)的识别结果分配(S7)给道路边界(Sb);基于先前所确定的信息建立(S8)
  • 周围环境模型中的行驶过程预估
  • [发明专利]一种基于SVD和静脉图有机耦合的指静脉识别方法-CN202210489594.1在审
  • 闫芳彭;张烨 - 浙江工业大学
  • 2022-04-29 - 2022-07-08 - G06V40/14
  • 一种基于SVD与静脉原图有机耦合的指静脉识别方法,包括:S1、采集手指静脉图像,获取近红外光下的指静脉原始图像P1S2、对采集的指静脉原始图像P1进行感兴趣区域提取,得到包含全部静脉有用信息的指静脉ROI图像后进行预处理,得到指静脉预处理图像P2S3、对预处理后的指静脉图像P2进行以下图像增强处理,得到图像P3S4、利用奇异值分解方法将图像增强后的指静脉图像P3进行数据降维,得到包含静脉主要信息的降维图P4S5、对奇异值分解后的指静脉图像P4和指静脉图像P3构造差分图P5S6、将经过差分处理的训练样本P5输入SVM模型进行训练,得到最佳模型参数
  • 一种基于svd静脉有机耦合识别方法
  • [发明专利]一种斩波时序电路-CN201910383757.6有效
  • 曹骁飞 - 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
  • 2019-05-08 - 2022-08-05 - H03K5/134
  • 本发明揭示了一种斩波时序电路,由离散时间的开关S1S2、S1d、S2d、CHOP_S1、CHOP_S2,电容C1、C2和OTA电路相接构成,其特征在于OTA电路内设有成对的PMOS管、NMOS管及共模反馈时钟的开关S1PS2P,电容C3、C4,其中开关S1P的时间序列主体与开关S1S1d的时间序列一致,开关S2P的时间序列主体与开关S2、S2d的时间序列一致,且开关S1PS2P在开关CHOP_S1、CHOP_S2的跳转时刻保持状态,在开关CHOP_S1、CHOP_S2的跳转完成后的下一个时序周期对应跟随开关S1S2。
  • 一种时序电路
  • [发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法-CN201480053018.6在审
  • 堀井拓 - 住友电气工业株式会社
  • 2014-08-05 - 2016-05-11 - H01L21/265
  • 一种制造碳化硅半导体器件的方法,包括:制备具有第一主表面(P1)和位于第一主表面(P1)的相反侧的第二主表面(P2)的碳化硅衬底(100)的步骤(S1)、通过利用杂质掺杂第一主表面(P1)在碳化硅衬底(100)中形成掺杂区的步骤(S2)、在第一主表面(P1)上形成第一保护膜(10)的步骤(S3)和在第二主表面(P2)上形成第二保护膜(20)的步骤(S4),形成第一保护膜(10)的步骤(S3)是在形成掺杂区的步骤(S2)之后执行的,该方法还包括在第一主表面(P1)的至少一部分被第一保护膜(10)覆盖并且第二主表面(P2)的至少一部分被第二保护膜(20)覆盖的情况下通过进行退火来激活掺杂区中包括的杂质的步骤(S5
  • 制造碳化硅半导体器件方法
  • [发明专利]购物搜索推荐与告警方法和系统-CN201410727616.9有效
  • 肖俊 - 上海耀肖电子商务有限公司
  • 2014-12-03 - 2015-03-25 - G06F17/30
  • 方法的后台预处理阶段,包括:S101,通过爬虫系统向各个购物网站抓取原始信息;S102,将原始信息直接存入以更新数据库中心;S103,根据预定义语义分析模型,得负面评论总数X;S104,计算坑爹率P1S105,通过预定义语义分析模型计算得正面评论总数Z;S106,计算得到推荐度P3S107,将坑爹率P1和推荐度P3存入数据中心以更新数据中心;S109,数据中心实时更新后信息通过搜索网站提供给客户端;S110,客户端据此提供的坑爹率P1和推荐度P3,为用户提供浏览。
  • 购物搜索推荐告警方法系统
  • [发明专利]机床轴旋转中心找正方法-CN202211639560.2在审
  • 钱桂风;周治水 - 江苏德速智能机械股份有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-05-30 - B23Q15/12
  • 本发明涉及一种机床轴旋转中心找正方法,具体包括如下步骤:S1、在旋转台上架好千分表,A轴上安装芯棒,在卧式状态测量Y轴坐标P1S2、再将A轴旋转90°并在立式状态测量Z轴坐标值P2,并使P1P2=R,R为芯棒的半径;S3、在立式状态测量Z轴坐标P3S4、再将A轴旋转90°并在卧式状态测量Z坐标值P4,并使P3P4=R,R为芯棒的半径;S5、再测量X轴坐标P2,并设置坐标系;S6、执行程序,让B轴旋转180°,再次测量X轴坐标P2,并通过千分表修改机床参数,本发明机床轴旋转中心找正方法在使用时,在多面加工时,通过在机床主轴打表测量,和加工试切测量出偏差,并在机床系统参数修改偏差值,主轴中心回正
  • 机床旋转中心方法

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