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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]操作MRAM半导体内存排列之方法-CN02808063.7无效
发明人： D·戈格尔;T·施洛塞 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：在一种根据本发明操作MRAM半导体内存排列之方法，以进行读取所储存信息项目的目的，可逆磁性变更对该TMR记忆胞元(TMR1、TMR2、…)进行及经动量改变做为结果的电流与原始读取信号比较。本发明较佳为被施用于一种MRAM内存排列，其中许多TMR记忆胞元(TMR1、…、TMR4)被平行连接于选择晶体管(TR1)及其中有未电连接至该记忆胞元的写入线路(WL1、WL2)。
操作 mram 半导体内存排列方法

[发明专利]一种采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的MRAM存储芯片-CN201810157448.2有效
发明人：叶力;戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-02-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用全耗尽绝缘硅FD‑SOI场效应管的MRAM存储芯片及调节栅极电位的设计方法，所述MRAM存储阵芯片的每个MRAM存储单元的场效应管采用全耗尽绝缘硅FD‑SOI场效应管，包括一个体电位控制单元
一种采用耗尽绝缘 fd soi 场效应 mram 存储芯片

[发明专利]MRAM芯片及MRAM芯片阵列短路位置的测试方法-CN202111681318.7在审
发明人：侯嘉;熊保玉;方伟;王明 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个阵列，每个阵列包括行列分布的存储单元以及与存储单元相连接的多条字线、多条位线和多条源线，每个阵列还包括缺陷检测电路，缺陷检测电路用于控制被测试位线的连接方式，将被测试位线间的漏电流与基准电流作比较
mram 芯片阵列短路位置测试方法

[发明专利]MRAM芯片存储阵列-CN202111309988.6在审
发明人：何世坤;郑泽杰;王跃锦;侯嘉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片存储阵列，包括：呈阵列形式排布的多个存储位元，每个存储位元包括存取晶体管、磁性隧道结、顶部互连结构以及底部互连结构，磁性隧道结通过顶部互连结构与对应位线连接，磁性隧道结通过底部互连结构与存取晶体管连接
mram 芯片存储阵列

[发明专利]MRAM的制备方法-CN202210309668.9在审
发明人：韩欣彤;申力杰;冀正辉;左正笏;汤佳杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有通孔；在通孔上方形成第一底电极薄膜；对第一底电极薄膜进行第一次减薄处理；在第一次减薄后的第一底电极薄膜上方形成介质层薄膜；进行对准标记的光刻和刻蚀
mram 制备方法

[发明专利]MRAM存储单元-CN01125963.9有效
发明人： H·赫尼施米德 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2001-07-18 - 公布日： 2002-02-06 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种由磁阻电阻(1)和开关晶体管(2)组成的MRAM存储单元,其中磁阻电阻(1)位于用于字线－针脚和用于写入操作的中间金属化表面(M1)和上金属化表面(M2)之间。
mram 存储单元

[发明专利]MRAM存储单元-CN201810687717.6有效
发明人：何世坤;熊保玉;竹敏;韩谷昌 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM存储单元，包括：两个磁隧道结和一条自旋轨道矩提供线，两个所述磁隧道结分别位于所述自旋轨道矩提供线的同一侧表面，且每个所述磁隧道结的自由层靠近所述自旋轨道矩提供线，两个所述磁隧道结的参考层的磁化方向相同本发明的MRAM存储单元，能够存储互补的阻态，在状态读取时形成差分信号，降低读错误率，并能显著提升数据读取速度。
mram 存储单元

[发明专利]MRAM的制备方法-CN201910181479.6有效
发明人：左正笏 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM的制备方法。
mram 制备方法

[发明专利]MRAM及其数据读法-CN200410045371.8无效
发明人：土田贤二;岩田佳久;东知辉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供MRAM及其数据读法。本发明的目的是提供一种可获得大容量化及高集成化而存取速度也可实现高速化的磁性随机存取存储器及其数据读出方法。在使用交叉点型的存储单元和采用分层位线结构的MRAM中，在读出动作时，使与选择单元同一副位线(SBL1～SBL8)相连接的存储单元(MC11～MC48)的字线(RWL1～RWL8)保持电浮动状态，对与选择单元不同的副位线相连接的存储单元的字线供给与主位线
mram 及其数据读法

[发明专利]非直角MRAM组件-CN02804075.9无效
发明人： H·霍恩格斯米德 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司
申请日： 2002-01-24 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性随机存取内存(100)与其制造方法，其具有与位线(122)成非直角的字符线(112)，其结果为较低的电流与电力消耗。
直角 mram 组件

[发明专利]磁阻随机存取存储器的写/读结构-CN00804980.7无效
发明人： W·雷斯纳;S·施瓦茨 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2000-01-03 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种MRAM的写/读结构，其中在读取过程中采用了一些电阻桥，在该电阻桥内将具有已知磁化状态的存储单元同需测量的存储单元进行比较。
磁阻随机存取存储器结构

[发明专利]交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺-CN201510726594.9在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明极大的简化了MRAM的生产工艺、降低了成本，并且可以极大地提高存储芯片的集成度，特别是对于pSTT-MRAM产品。
交叉矩阵磁性随机存储器制造工艺

[发明专利]自旋电子器件、SOT-MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路-CN202010704837.X在审
发明人：邢国忠;林淮;路程;刘琦;吕杭炳;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，所述自旋电子器件包括铁电/铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电/铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层；所述铁电/本发明提供的自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路，可实现无外场辅助条件下的确定性磁化翻转。
自旋电子器件 sot mram 存储单元阵列以及一体电路

[发明专利]自旋转移矩磁阻随机存取存储器装置及其制造方法-CN202010417000.7在审
发明人： A.J.安农齐亚塔;B.B.多里斯;E.J.奥苏里范 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)装置。STT‑MRAM装置包括基板，电介质层和磁性隧道结(MTJ)堆叠体。基板包括导体和着陆垫。
自旋转移磁阻随机存取存储器装置及其制造方法

[发明专利]具有选择器电压补偿的磁性随机存取存储器-CN201911225752.7在审
发明人： C.J.佩蒂;T-Y.刘;A.阿尔-沙马;Y.铉 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本文提供了磁性随机存取存储器(MRAM)电路。在一个示例性具体实施中，MRAM电路包括耦合到与选择器元件串联的磁性隧道结(MTJ)元件的控制电路。
具有选择器电压补偿磁性随机存取存储器

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