专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]镜头驱动装置、摄像机装置和电子设备-CN201980101129.2在审
  • 岡崎洋二 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2019-12-19 - 2022-05-27 - G02B7/09
  • 一种镜头驱动装置(1),包括:轴构件(90),设置于在镜头(2)的光轴方向(z)上;以及镜头移动构件(1003),镜头(2)安装在镜头移动构件(1003)上,并且镜头移动构件(1003)配置为在沿着轴构件其中,镜头移动构件(1003)的接触轴构件(90)的至少一部分包括绝缘材料,该绝缘材料包含作为填料的增强纤维,并且镜头移动构件(1003)的该部分具有静摩擦系数,该静摩擦系数能够在镜头移动构件(1003)与轴构件(90)之间产生静摩擦力,该静摩擦力使镜头移动构件(1003)保持在镜头的对焦位置。
  • 镜头驱动装置摄像机电子设备
  • [实用新型]页张印刷机的收料器-CN201621048409.1有效
  • U·昂斯特;A·朔尔普;M·莱瓦;A·伯特格;U·费伦贝格 - 海德堡印刷机械股份公司
  • 2016-09-09 - 2017-10-27 - B65H29/24
  • 本实用新型涉及到页张印刷机(1)的收料器(100),具有用于放置页张(1001)的页张叠堆(1003)、用于将页张(1000,1001,1002)沿着页张输送方向(T)在输送平面(E)中供入的输送系统(10)、和布置在页张叠堆(1003)下游的输送器件(13)。按照本实用新型,在页张叠堆(1003)与输送平面(E)之间布置有喷吹装置(14),用于引导页张(1002)。在此,可从下面喷吹页张(1002),喷吹空气(b)逆着页张输送方向(T)定向,并且喷吹装置(14)布置在页张叠堆(1003)下游。因此可以采用成本低的、简单控制和实际有效的手段防止当页张(1002)越过叠堆(1003)继续输送时,叠堆(1003)最上面的页张(1001)损坏。
  • 印刷机料器
  • [发明专利]用于旋转丝网装置的印版及其制造方法-CN200710008072.0无效
  • 青木敏行 - 小森公司
  • 2007-02-09 - 2007-08-15 - B41N3/00
  • 在基层电铸成形步骤中,具有铜圆周表面的筒状母模(1003)被浸入包含镍离子的电铸成形溶液(1010)中。然后,在使电流在母模(1003)和镍电极板(1002)之间流动的同时,使母模(1003)旋转。由此,镍基层(202a)形成在母模(1003)的圆周表面上。在保护层电铸成形步骤中,第一掩遮材料(1007)被设置在基层(202a)上的确定的预定位置处。然后,在使电流再次流动的同时,使母模(1003)旋转。由此,镍保护层(202b)避开掩遮材料(1007)的部位形成在基层(202a)上。
  • 用于旋转丝网装置及其制造方法
  • [实用新型]一种基于MS1003的激光测距望远镜及其测距电路-CN202021756152.1有效
  • 张佳一;王建军 - 杭州瑞盟科技有限公司
  • 2020-08-20 - 2021-03-23 - G01C3/04
  • 本申请公开了一种基于MS1003的激光测距望远镜及其测距电路,该测距电路包括微控制器、MS1003芯片、高压激光发射电路、激光接收放大电路;微控制器用于生成启动脉冲并发送至MS1003芯片和高压激光发射电路;高压激光发射电路用于依据启动脉冲向目标发射激光;激光接收放大电路用于检测从目标反射的激光,生成停止脉冲并发送至MS1003芯片的STOP1通道;MS1003芯片用于检测启动脉冲的上升沿时刻作为激光发射时刻、检测停止脉冲的上升沿时刻作为激光接收时刻;微控制器用于读取MS1003芯片中的时刻数据,计算生成与目标的距离数据。
  • 一种基于ms1003激光测距望远镜及其电路
  • [其他]一种半导体器件-CN201090000829.7有效
  • 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 - 中国科学院微电子研究所
  • 2010-09-16 - 2013-05-08 - H01L21/331
  • 在半导体衬底(1001)上形成晶体管结构,该晶体管结构包括栅极区(100)以及源漏区(200),栅极区包括在半导体衬底(1001)上形成的栅极介质层(1002)以及在栅极介质层(1002)上形成的牺牲栅(1003);沉积第一层间介质层(1006),对第一层间介质层(1006)平坦化以露出牺牲栅(1003);去除牺牲栅(1003)以形成替代栅孔(1003′);在第一层间介质层(1006)中与源漏区相对应的位置形成第一接触孔(1009);以及在第一接触孔(1009)以及替代栅孔(1003′)填充第一导电材料,形成第一接触部(1010)和替代栅(1003”),第一接触部(1010)与源漏区相接触。
  • 一种半导体器件

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